双栅极晶体管及其制造方法

摘要

本发明公开了一种双栅极晶体管及其制造方法，该双栅极晶体管提供了改善的器件性能和密度。本发明的优选实施例使用为双栅极晶体管设置非对称栅极掺杂，其中双栅极中的一个渐弱地掺杂为n型，而另一个渐弱地掺杂为p型。通过将栅极中的一个掺杂为n型，并将另一个掺杂为p型，所得器件的阈值电压得到了改善。具体而言，通过非对称地掺杂两个栅极，所得的晶体管可以在适当地掺杂基体的情况下，具有在能够进行低压CMOS操作的范围内的阈值电压。例如，可形成对于nFET阈值电压是在0V至0.5V之间而对于pFET是在0至－0.5V之间的晶体管。

主权项

1.一种形成晶体管的方法，该方法包括：a)设置半导体衬底；b)构图半导体衬底，从而设置第一基体边缘；c)邻近所述第一基体边缘设置第一费米能级的第一栅极结构；d)构图半导体衬底，从而设置第一基体边缘，半导体衬底的第一和第二基体边缘限定了晶体管的基体；以及e)邻近所述第二基体边缘设置第二费米能级的第二栅极结构。