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发明名称
原子层沈积方法及原子层沈积工具
摘要
本发明揭示一种原子层沈积方法,其包括定位复数个半导体晶圆于原子层沈积室内。沈积从连接室内接收的个别晶圆相关联的个别气体入口喷射的先驱物,有效形成一个别单层于室内接收的该个别晶圆上面。形成单层后,冲洗从连接室内接收的该等个别晶圆相关联的个别气体入口喷射的气体。原子层沈积工具包括一真空负载室,一真空转运室,及复数个原子层沈积室。以下揭示其他特征及实施。
申请公布号
TW200414315
申请公布日期
2004.08.01
申请号
TW092127784
申请日期
2003.10.07
申请人
麦克隆科技公司
发明人
古堤S. 山胡;董春
分类号
H01L21/205
主分类号
H01L21/205
代理机构
代理人
陈长文
主权项
地址
美国
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