| 主权项 |
1.一种有机发光显示器之画素结构,包括:一第一电晶体,具有一闸极耦接一扫描信号,一汲极耦接一资料信号,该第一电晶体根据该扫瞄信号,控制该资料信号的导通及截止;一储存电容,一端耦接该第一电晶体之一源极,以及另一端耦接一参考节点,该参考节点具有一第二电位;一第二电晶体,具有一闸极耦接该第一电晶体之源极,以及一源极耦接该参考节点;以及一有机发光二极体,具有一阴极耦接该第二电晶体之一汲极,以及一阳极具有一第一电位,该第一电位高于该第二电位,该第二电晶体根据该资料信号而导通,使电流通过该有机发光二极体;其中,该第一电晶体或该第二电晶体为非晶矽薄膜电晶体,该有机发光二极体之发光效率大于或等于11cd/A。2.如申请专利范围第1项所述之有机发光显示器之画素结构,其中,该有机发光二极体的材质包括C545T。3.如申请专利范围第1项所述之有机发光显示器之画素结构,其中,该有机发光二极体的材质包括Irppy。4.如申请专利范围第1项所述之有机发光显示器之画素结构,其中,该第二电位为一接地电位。5.一种有机发光显示器,包括:一显示面板,该面板包括复数个画素,该等画素包括一第一电晶体,具有一闸极耦接一扫描信号,一汲极耦接一资料信号,该第一电晶体根据该扫瞄信号,控制该资料信号的导通及截止;一储存电容,一端耦接该第一电晶体之一源极,以及另一端耦接一参考节点,该参考节点具有一第二电位;一第二电晶体,具有一闸极耦接该第一电晶体之源极,以及一源极耦接该参考节点;以及一有机发光二极体,具有一阴极耦接该第二电晶体之一汲极,以及一阳极具有一第一电位,该第一电位高于该第二电位,该第二电晶体根据该资料信号而导通,使电流通过该有机发光二极体;其中,该第一电晶体或该第二电晶体为非晶矽薄膜电晶体,该有机发光二极体之发光效率大于或等于11cd/A。6.如申请专利范围第5项所述之有机发光显示器,其中,该有机发光二极体的材质包括C545T。7.如申请专利范围第5项所述之有机发光显示器,其中,该有机发光二极体的材质包括Irppy。8.如申请专利范围第5项所述之有机发光显示器,其中,该第二电位为一接地电位。9.一种有机发光显示器之画素结构,包括:一第一电晶体,具有一闸极耦接一扫描信号,一汲极耦接一资料信号,该第一电晶体根据该扫瞄信号,控制该资料信号的导通及截止;一储存电容,一端耦接该第一电晶体之一源极,以及另一端耦接一参考节点,该参考节点具有一第二电位;一第二电晶体,具有一闸极耦接该第一电晶体之源极,以及一汲极耦接该参考节点;以及一有机发光二极体,具有一阳极耦接该第二电晶体之一源极,以及一阴极具有一第一电位,该第一电位低于该第二电位,该第二电晶体根据该资料信号而导通,使电流通过该有机发光二极体;其中,该第一电晶体或该第二电晶体为非晶矽薄膜电晶体,该有机发光二极体之发光效率大于或等于11cd/A。10.如申请专利范围第9项所述之有机发光显示器之画素结构,其中,该有机发光二极体的材质包括C545T。11.如申请专利范围第9项所述之有机发光显示器之画素结构,其中,该有机发光二极体的材质包括Irppy。12.如申请专利范围第9项所述之有机发光显示器之画素结构,其中,该第二电位为一高电位。13.一种有机发光显示器,包括:一显示面板,该面板包括复数个画素,该等画素包括一第一电晶体,具有一闸极耦接一扫描信号,一汲极耦接一资料信号,该第一电晶体根据该扫瞄信号,控制该资料信号的导通及截止;一储存电容,一端耦接该第一电晶体之一源极,以及另一端耦接一参考节点,该参考节点具有一第二电位;一第二电晶体,具有一闸极耦接该第一电晶体之源极,以及一汲极耦接该参考节点;以及一有机发光二极体,具有一阳极耦接该第二电晶体之一源极,以及一阴极具有一第一电位,该第一电位低于该第二电位,该第二电晶体根据该资料信号而导通,使电流通过该有机发光二极体;其中,该第一电晶体或该第二电晶体为非晶矽薄膜电晶体,该有机发光二极体之发光效率大于或等于11cd/A。14.如申请专利范围第13项所述之有机发光显示器其中,该有机发光二极体的材质包括C545T。15.如申请专利范围第13项所述之有机发光显示器其中,该有机发光二极体的材质包括Irppy。16.如申请专利范围第5项所述之有机发光显示器,其中,该第二电位为一高电位。图式简单说明:第1a图系显示本发明之有机发光显示器之画素结构之电路图;第1b图系显示本发明之有机发光显示器之画素结构之电路图;第2图系显示以非晶矽薄膜电晶体制做之有机发光显示器之实验结果。 |
