发明名称 多孔低介电常数膜的非热形成方法
摘要 低介电材料及包含此材料的膜已被确定可提升当作积体电路之内层介电体的性能,以及其制造方法。发明的某些具体实例提供一种用来移除复合膜内至少一部分的至少一种成孔物质并因此形成一种多孔膜的低温方法。此种成孔物质在一种非氧化的环境中,藉由暴露于至少一种能量来源(优选的是一种紫外光源)中加以移除。
申请公布号 TW200413559 申请公布日期 2004.08.01
申请号 TW092131720 申请日期 2003.11.12
申请人 气体产品及化学品股份公司 发明人 亚伦史考特卢卡斯;马克李纳德欧尼尔;马克丹尼尔比特内尔;珍露薏兹文生;雷蒙尼克劳斯孟提;伊真约瑟喀瓦奇
分类号 C23C16/42;H01B1/04 主分类号 C23C16/42
代理机构 代理人 陈展俊;林圣富
主权项
地址 美国