发明名称 |
像素结构及薄膜晶体管阵列 |
摘要 |
一种像素结构及薄膜晶体管阵列,由具有扫描配线的第一图案化导体层、第一介电层、数个信道层、包括信号配线与源极/漏极的第二图案化导体层、第二介电层以及数个像素电极所组成。其中,第一图案化导体层位于一基板上。第一介电层位于基板上并覆盖第一图案化导体层。信道层位于扫描配线上方的第一介电层上。第二图案化导体层位于第一介电层上,其源极/漏极位于扫描配线上的信道层两侧。第二介电层位于第一介电层上并覆盖住第二图案化导体层上。像素电极置于第二介电层上,其中像素电极与源极/漏极的一端电性连接,而源极/漏极的另一端与信号配线电性连接。 |
申请公布号 |
CN1515945A |
申请公布日期 |
2004.07.28 |
申请号 |
CN03100941.7 |
申请日期 |
2003.01.08 |
申请人 |
广辉电子股份有限公司 |
发明人 |
洪孟逸 |
分类号 |
G02F1/136;G02F1/133;H01L29/786 |
主分类号 |
G02F1/136 |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 |
代理人 |
王琼 |
主权项 |
1.一种薄膜晶体管阵列,适于配置于一基板上,该薄膜晶体管阵列包括:第一图案化导体层,配置于该基板上,该第一图案化导体层包括多个扫描配线;第一介电层,配置于该基板上并覆盖住该第一图案化导体层;多个信道层,配置于该第一介电层上,且这些信道层位于这些扫描配线上方;第二图案化导体层,配置于该第一介电层上,该第二图案化导体层包括多个信号配线与多个源极/漏极,其中这些源极/漏极配置于这些扫描配线上方,且这些源极/漏极位于该信道层两侧;第二介电层,配置于该第二导体层上;以及多个像素电极,配置于该第二介电层上,其中这些像素电极与这些源极/漏极的一端电性连接,而这些源极/漏极的另一端与这些信号配线电性连接。 |
地址 |
中国台湾 |