| 发明名称 | 等离子CVD装置 | ||
| 摘要 | 是从设置在环状波导管(5)的内周部的天线(20)向配置在环状波导管(5)的内侧的反应室(2)内提供微波功率，并在前述反应室(2)内部产生等离子，从而利用气相生长合成法成膜的等离子CVD装置，在该装置上，在前述环状波导管(5)与反应室(2)之间配置冷却装置(27)，是将前述环状波导管(5)的温度保持在低温的构成。 | ||
| 申请公布号 | CN1516750A | 申请公布日期 | 2004.07.28 |
| 申请号 | CN02811894.4 | 申请日期 | 2002.06.05 |
| 申请人 | 株式会社神户制钢所 | 发明人 | 玉垣浩;冲本忠雄;丰秀喜 |
| 分类号 | C23C16/511;B01J19/08;C03B37/018;H05H1/46 | 主分类号 | C23C16/511 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 温大鹏;杨松龄 |
| 主权项 | 1.一种等离子CVD装置，是从设置在环状的波导管的内周部的天线向配置在环状的波导管的内侧的反应室内提供微波功率，在前述反应室内部产生等离子，从而利用气相生长合成法成膜的等离子CVD装置，其特征在于：在前述环状波导管与反应室之间配置冷却装置。 | ||
| 地址 | 日本兵库县神户市 | ||