用于读出与刷新动态半导体存储器的方法

摘要

本发明涉及用于读出和刷新动态半导体存储器数据内容的一种方法，此半导体存储器带有大量以列和行矩阵形设置的易失存储器单元，在此借助至少两个数据总线(DQ1，DQ2)从已编址各存储器单元进行读出数据内容，将这些数据内容以文字方式设置在这些数据总线上，并且通过刷新脉冲进行各存储器单元的数据内容刷新。按本发明考虑了在触发刷新脉冲后位于各数据总线(DQ1，DQ2)上的这些数据字(D1，D2)在所有的数据总线上保持一个预定延续时间不变，并且在此之后借助一个中断脉冲才中断。

主权项

1.用于读出和刷新动态半导体存储器数据内容的方法，此半导体存储器带有大量以列和行矩阵形设置的易失存储器单元，在此借助至少两个数据总线(DQ1，DQ2)从已编址的各存储器单元中进行数据内容的读出，并且其中，通过刷新脉冲进行这些存储器单元各数据内容的刷新，其特征在于，在触发刷新脉冲之后位于各数据总线(DQ1，DQ2)上的这些数据字(D1，D3)在所有的数据总线上维持一个预定的延续时间，并且在此之后才借助一个中断脉冲来中断。