多光束半导体激光器

摘要

提供一种多光束半导体激光器，能够发射具有均匀光输出能级的各条激光束并能够轻易对齐。该多光束半导体激光器(40)是GaN为基的多光束半导体激光器，设置有能够发射具有相同波长的激光束的四个激光条(42A、42B、42C和42D)。各激光振荡区(42A至42D)设置有一个位于形成于蓝宝石衬底(44)上的台面式结构(46)上的p型共用电极(48)，并分别具有有源区(50A、50B、50C和50D)。两个n型电极(52A和52B)设置在一n型GaN接触层(54)上，并且作为共用电极与p型共用电极(48)相对设置在台面式结构(46)的两侧。激光条(42A)与激光条(42D)之间的距离A不大于100μm。激光条(42A)与n型电极(52B)之间的距离B₁不大于150μm，同时激光条(42D)与n型电极(52A)之间的距离B₂不大于150μm。

主权项

1、一种具有一共用衬底的多光束半导体激光器，所述共用衬底设置有一台面式结构，在所述台面式结构上制成呈条状的多个激光振荡区，所述多光束半导体激光器包括：第一电极，为所述多个激光振荡区的每个而设置，用来起到所述每个激光振荡区的p型电极和n型电极中的一个的作用；以及第二电极，位于在所述共用衬底上的所述台面式结构的旁边，作为所述多个激光振荡区的至少两个的共用电极，用来起到所述两个激光振荡区的每个的p型电极和n型电极中的另一个的作用，并且起到所述第一电极的对置电极的作用。