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Bei einem Halbleiterherstellungsverfahren wird zuerst ein erster Isolierfilm (1) entlang von Oberflächen einer Mehrzahl von Kombinationen einer Gateelektrode (30) und eines Gateisolierfilmes (20) und eines Halbleitersubstrates (10) gebildet. Dann wird auf dem ersten Isolierfilm (1) ein zweiter Isolierfilm (2) unterschiedlich zu dem ersten Isolierfilm (1) gebildet. Die Schritte des Bildens des ersten Isolierfilmes (1) und Bilden des zweiten Isolierfilmes (2) werden abwechselnd wiederholt, bis ein kokaver Raum, der durch die Oberfläche eines späteren Isolierfilms (N) gebildet ist, der ein Film ist, der später als der erste Isolierfilm (1) und der zweite Isolierfilm (2) gebildet ist, oberhalb der oberen Oberfläche der Gateelektrode (30) positioniert ist. Danach wird ein dritter Isolierfilm (N + 1) auf dem späteren Isolierfilm (N) gebildet. Somit wird eine Halbleitervorrichtung mit einer hohen Zuverlässigkeit erhalten durch Verbessern eines Zustandes des zwischen den Gateelektroden gebildeten Isolierfilmes.
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