| 发明名称 | 应用非易失性铁电存储器的交错控制装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开了应用非易失性铁电存储器的交错控制装置。更具体地说，公开了一种应用非易失性铁电寄存器的存储器交错结构，所述非易失性铁电寄存器配置用于独立控制存储体的交错。在本发明的一个实施例中，通过应用单非易失性铁电存储器芯片，多存储体非易失性铁电存储器芯片或者多存储体交错非易失性铁电存储器芯片，可以独立控制每一存储体的交错部分。 | ||
| 申请公布号 | CN1512509A | 申请公布日期 | 2004.07.14 |
| 申请号 | CN03125562.0 | 申请日期 | 2003.07.31 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 姜熙福 |
| 分类号 | G11C11/22;G06F12/00;G06F13/00 | 主分类号 | G11C11/22 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 王志森;黄小临 |
| 主权项 | 1.一种应用非易失性铁电存储器的交错控制装置，包括：一包括多个的单存储体的单芯片FeRAM阵列；一存储器交错控制器，配置用于为控制存储器交错而编码，并且基于所述编码而改变单芯片FeRAM阵列的地址路径；以及，一总线，用于在单芯片FeRAM阵列和存储器交错控制器之间传送数据。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||