| 发明名称 |
Verfahren zur Herstellung von Kontakten auf einem Halbleiterbauelement |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
DE69724859(T2) |
申请公布日期 |
2004.07.08 |
| 申请号 |
DE19976024859T |
申请日期 |
1997.03.24 |
| 申请人 |
KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA, KAWASAKI |
发明人 |
SUDO, AKIRA |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L21/336;H01L21/60;(IPC1-7):H01L21/768 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
