氮化镓基Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体LED的发光装置及其制造方法

摘要

本发明涉及一种氮化镓基III－V族化合物半导体LED的发光装置及其制造方法，系以磊晶的方式在多层磊晶结构上，成长一适当厚度且透光性较佳的金属氧化层，以作为光取出层，而构成一发光装置，具有较高的光取出率及可厚膜化等特性。

主权项

1.一种「氮化镓基III-V族化合物半导体LED的发光装置制造方法」，系可包含以下的步骤：(a)在基板上成长n-GaN系磊晶沉积层的步骤，利用蓝宝石(sapphire)或碳化硅(SiC)作为基板，且在基板的上表面形成一缓冲层后，再成长一层n-GaN系的磊晶沉积层；(b)在n-GaN层上成长一MQW活性层的步骤，接续步骤(a)，在n-GaN系的磊晶沉积层上形成一MQW的活性层；(c)在活性层上成长p-GaN系磊晶沉积层的步骤，接续步骤(b)，在MQW活性层上形成一层p-GaN系(p-GaN-based)的磊晶沉积层，且以蚀刻法将部份n-GaN层表面、部份MQW活性层、及部份p-GaN层移除，使n-GaN层具有一露出面；(d)在p-GaN层上磊晶沉积ZnO系窗口层的步骤，接续步骤(c)，可在蚀刻后剩余的p-GaN层上，以磊晶的方式成长一适当厚度的ZnO系窗口层，而形成一较佳的光取出层；由此，即可在n-GaN层的露出面上设置一n型金属电极，并在光取出层上设置一p型金属电极，而构成一LED的发光装置。