发明名称 一种改进的薄层核子密度计
摘要 本发明提供一种改进的薄层核子密度计,包括:一具有一垂直贯通的腔体和一底座的核子计壳体;一位于所述壳体内并和所述壳体的底座相邻的第一位置的第一辐射检测器;一位于所述壳体内并和所述壳体的底座相邻的第二位置的第二辐射检测器;一延伸到所述核子计壳体的腔体中的可以垂直运动的源杆;一被可操作地设置在所述源杆远端内的辐射源;至少一个轴承,其在操作上被设置来在腔体内引导所述源杆;以及用于向着多个预定的源杆位置使源杆垂直地延伸和缩回的装置,以便改变辐射源和所述第一和第二辐射检测器之间的空间关系。所述源杆在每个预定位置具有小于大约0.003英寸(0.008cm)的最大径向运动。本发明还提供一种具有改进的辐射屏蔽装置的仪器,包括一滑块,其在操作上被设置来在所述第一位置和第二位置之间沿横向运动;一和所述滑块啮合并使所述滑块偏置到第一位置的弹簧;以及一固定块,所述固定块包括和所述滑块啮合并引导所述滑块运动的轨道。
申请公布号 CN1156689C 申请公布日期 2004.07.07
申请号 CN00805301.4 申请日期 2000.03.02
申请人 特罗克斯勒电子实验有限公司 发明人 沃瓦格·H·L·德;约翰·T·伊甘;阿尔弗雷德·W·乔丹;罗伯特·E·特罗克斯勒
分类号 G01N23/20;G01N23/06;G01B7/26 主分类号 G01N23/20
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 李德山
主权项 1.一种薄层核子密度计(10),包括:一具有一垂直贯通的腔体(11)和一底座(14)的核子密度计壳体(12);位于所述壳体内的一个第一位置并和所述壳体的底座相邻的一个第一辐射检测器(16);位于所述壳体内的一个第二位置并与所述壳体的底座相邻的一个第二辐射检测器(18);一延伸到所述核子密度计壳体的所述腔体中的可以纵向运动的源杆(20);一被设置在所述源杆的一个远端内的辐射源(22);以及用于使源杆向着多个预定的源杆位置垂直地延伸和缩回,以改变所述辐射源和所述第一和第二辐射检测器之间的空间关系的装置;其特征在于,所述核子密度计还包括一个被设置成在两个位置之间作横向运动的辐射屏蔽装置,该两个位置中的一个第一位置是这样的一个位置,即当所述辐射屏蔽装置处于该第一位置时其阻挡所述核子密度计壳体的所述垂直腔体的远端以使得辐射被屏蔽而不会从所述腔体逸出的一个第一位置,该两个位置中的一个第二位置与所述垂直腔体相邻近并且当所述辐射屏蔽装置处于该第二位置时其允许源杆纵向运动通过所述垂直腔体,所述辐射屏蔽装置包括:一滑块(50),其被设置成在所述第一位置和第二位置之间沿横向运动,一和所述滑块啮合并使所述滑块偏置到第一位置的弹簧(54),以及一固定块(52),所述固定块包括一和所述滑块啮合并引导所述滑块的运动的轨道。
地址 美国北卡罗来纳州