| 发明名称 | 具有位线参考电压的集成存储器和产生该电压的方法 | ||
| 摘要 | 在有差分写/读放大器(SA)的特别是铁电半导体存储器上，该放大器经传输晶体管(T)与由位线(BLi)和相应的参考位线(/BLi)组成的位线对相连，用于在存储电容器(MC)中读出和写入数据，为了提高位线参考电压精度安排主参考位线(/BL0)经电荷开关元件(TL)与参考电压(VREF)相连，为了在参考位线之间电荷平衡，至少一个其他参考位线(/BLi)经平衡开关元件(TA)与主参考位线相连。 | ||
| 申请公布号 | CN1156851C | 申请公布日期 | 2004.07.07 |
| 申请号 | CN01111908.X | 申请日期 | 2001.03.23 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | T·贝姆;Z·曼约基;R·埃斯特尔;T·雷尔 |
| 分类号 | G11C11/22;G11C11/407 | 主分类号 | G11C11/22 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 马铁良;张志醒 |
| 主权项 | 1.一种集成存储器，具有存储电容器(MC)，将存储电容器安排在字线(WLi)和由位线(BLi)和具有位线参考电压(V/BLi)的参考位线(/BLi)组成的位线对(BLi，/BLi)的交叉点上；具有选择晶体管(TM)，经过这个选择晶体管将存储电容器与位线相连，和将该选择晶体管的控制电极与字线相连；并且具有差分写入/读出放大器(SA)，此放大器经传输晶体管(T)与位线对相连，用于从存储电容器(MC)中读出数据和在存储电容器(MC)中写入数据，其特征为，主参考位线(/BL0)经过电荷开关元件(TL)与参考电压(VREF)相连；并且至少一个其他的参考位线(/BLi)为了在参考位线的寄生电容之间电荷平衡经平衡开关元件(TA)与主参考位线相连。 | ||
| 地址 | 联邦德国慕尼黑 | ||