发明名称 |
侧馈送射频放大器 |
摘要 |
一种侧馈送RF放大器,它包括数个并联的晶体管,使每个晶体管的基极,发射极和集电极的引脚分别与其它所有晶体管的基极,发射极和集电极的引脚电连接。一个公共物理点将功率放大器的电流源和每个晶体管的基极引脚互连。晶体管在功率放大器中设置成公共物理点和任一晶体管基极引脚之间的阻抗大致与公共点和其它任一晶体管基极引脚之间的阻抗相等。 |
申请公布号 |
CN1156912C |
申请公布日期 |
2004.07.07 |
申请号 |
CN01133021.X |
申请日期 |
2001.09.14 |
申请人 |
国际商业机器公司 |
发明人 |
戴维·R·赫尔姆斯;菲利普·安托内蒂 |
分类号 |
H01L27/00;H01L21/70;H03F3/195;H03F1/00 |
主分类号 |
H01L27/00 |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
王以平 |
主权项 |
1.一种侧馈送射频放大器,包括:数个双极晶体管,具有并联的发射极和集电极引脚;数个电路轨迹,将所述数个晶体管的基极引脚与一接收输入信号的公共电路点相连接,所述电路轨迹和所述晶体管具有一特定关系以便从所述任一晶体管的基极引脚至所述公共点的阻抗大致与从所述其它任一晶体管的基极引脚至所述公共点的阻抗相等,一电流源,与所述公共点相连接以便将电流提供给所述基极引脚。 |
地址 |
美国纽约 |