| 发明名称 | 半导体装置的研磨方法、半导体装置的制造方法及研磨装置 | ||
| 摘要 | 一种包含采用CMP研磨基板的工序在内的半导体装置制造方法，为了实现抑制晶体表面发生损伤、划痕的目的，在研磨工序中，为了供给浆料使用了管式浆料供给泵(15)。在管式浆料供给泵(15)中，作为供给浆料的管道(12)使用了聚氯乙稀类管道。 | ||
| 申请公布号 | CN1510722A | 申请公布日期 | 2004.07.07 |
| 申请号 | CN200310113165.1 | 申请日期 | 2003.12.25 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 滨中雅司;白樫卫吾;伊藤史隆 |
| 分类号 | H01L21/304;B24B37/04;B24B1/00 | 主分类号 | H01L21/304 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1、一种半导体装置的研磨方法，是包含采用CMP研磨基板的工序在内的制造半导体装置的方法，其特征在于：在所述研磨工序中，为了供给浆料，使用管式浆料供给泵，在所述管式浆料供给泵中，作为供给浆料用的管道，使用聚氯乙稀类管道。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||