电力用半导体装置及电力用半导体装置之制造方法

摘要

本发明之目的系在于：在削减电力用半导体装置之照相制版步骤的同时，改善因削减步骤所引起之耐压降低之问题。本发明系在外延层610之主面61S上，形成在领域551内具有开口之第1绝缘体710。接着，透过第1绝缘体710之上述开口以离子注入方式注入p型杂质，之后藉由热处理，于主面61S内形成p基底层621。随后，以填埋前述开口的方式形成绝缘膜并藉由回蚀，于前述第1绝缘体710之侧面71W上形成第2绝缘体720。接着，在具有第3绝缘体720的状态下透过上述开口以离子注入方式注入D型杂质，并藉由之后的热处理，于p基底层621之主面61S内形成n^+源极层630。