发明名称 制造电子装置之方法及电子装置
摘要 本发明提供一方法,用以在半导体本体上提供铜金属化,包括沉积铜在含氮之大气中以形成含氮之铜种子层及在种子层上形成铜金属化之步骤,亦包括种子层加热之步骤以便释放氮以形成障碍层用以自半导体本体分离种子层。
申请公布号 TW200411737 申请公布日期 2004.07.01
申请号 TW091136510 申请日期 2002.12.18
申请人 皇家飞利浦电子股份有限公司 发明人 罗伯特斯 艾德里安诺斯 玛利亚 华特斯;ADRIANUS MARIA WOLTERS;亚诺克 玛利亚 凡 葛拉文-克拉森;CLAASSEN
分类号 H01L21/20 主分类号 H01L21/20
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 荷兰