| 摘要 |
本发明之目的在于提供一种在低介电系数层间膜构造内具有良好形状之双层镶嵌构造之多层配线构造的半导体装置之制造方法。本方法，系包含如下步骤：在下层配线上，成膜第一绝缘膜、第二绝缘膜、及第一罩幕形成层；形成具有上部配线之配线沟反转图案的第一光阻罩幕(20)；使用第一光阻罩幕蚀刻第一罩幕形成层，且将上部配线之配线沟反转图案所构成的凹部形成于第一罩幕形成层上，进而在第一罩幕形成层上成膜第二罩幕形成层并以第二罩幕形成层埋入凹部；选择性地去除配线沟形成区域上之第二罩幕形成层，且形成具有配线沟图案之第二罩幕；在第一罩幕形成层上，形成具有连接孔之开口图案的第二光阻罩幕(12)；以及从第二光阻罩幕上蚀刻第一罩幕形成层及第二绝缘膜以将连接孔开口；之后系使用与知相同之方法而形成双层镶嵌构造。 |
