| 主权项 |
1.一种积体记忆体,其包括:-一条可定址之第一线(CLi)和第二线(WLk),此二条线之相交点中配置各记忆胞(MC),-备用线(RCLm),其具有连接于其上之备用记忆胞(RMC)以便依据位址来取代第一线(CLi)中之一条,第一线(CLi)划分成部份区域(10…13),-编码单元(FBn),其依据位址使备用线(RCLm)中之任一条分别配属于第一线(CLi)之任一条,其特征为:-每一编码单元(FBn)设有一个可程式化之驱动单元(AKT),其程式化状态决定了:-所属之编码单元(FBn)在程式化状态中是否使一条完整之备用线(RCLmn)依据位址而配属于一条完整之第一线(CLi),-所属之编码单元(FBn)在程式化状态中是否只使备用线(RCLm)中之一条之部份区域(10…13)中之一依据位址而配属于第一线(CLi)之一之相对应之部份区域(20…25)。2.如申请专利范围第1项之积体记忆体,其中其第一线(CLi)是位元线而其第二线(WLk)是字元线。3.如申请专利范围第1项之积体记忆体,其中其第一线是字元线而其第二线是位元线。4.如申请专利范围第1.2或3项之积体记忆体,其中-其编码单元(FBn)分别具有第一(BF)、第二(CF)和第三(RF)可程式化之副单元,-其第一副单元(BF)在程式化状态时使所属之一编码单元(FBn)配属于备用线(RCLm)中之指定之一条,-其第二副单元(CF)在程式化状态时使所属之一编码单元(FBn)配属于第一线(CLi)中之指定之一条,此条第一线(CLi)依据位址而由此条经由编码单元之第一副单元(BF)以配属于此编码单元之备用线(RCLm)所取代,-其第三副单元(RF)在程式化状态时使所属之编码单元(FBn)配属于此种经由第一副单元(BF)而配属于FBn之备用线(RCLm)之指定之部份区域(10…13)且亦配属于此种经由第二副单元(CF)而配属于FBn之第一线(CLi)之指定之部份区域(20…25),-只有当配属于各编码单元(FBn)之驱动单元(AKT)具有相对应之程式化状态时,才计算第三副单元(RF)之程式化状态。5.如申请专利范围第4项之积体记忆体,其中-其第一线(CLi)可经由第一位址(CADR)而被定址而其第二线(WLk)可经由第二位址(RADR)而被定址,-其编码单元(FBn)分别具有第一(CMP1)和第二比较单元(CMP2),-第一位址(CADR)和一种由所属第二副单元(CF)所储存之位址传送至第一比较单元(CMP1),-由第二位址(RADR)所导出之部份位址(RADR')和一种由所属第三副单元(RF)所储存之位址传送至第二比较单元(CMP2),-在驱动单元(AKT)之第一程式化状态时此种配属于各编码单元(FBn)之备用线(RCLm)之驱动是依据相对应之第一比较单元(CMP1)(但不是第二比较单元(CMP2))之结果信号来进行,-在驱动单元(AKT)之第二程式化状态时此种配属于各编码单元(FBn)之备用线(RCLm)之驱动是依据相对应之第一(CMP1)及第二比较单元(CMP2)之结果信号来进行。6.如申请专利范围第1项之积体记亿体,其中编码单元(FBn)之数目小于所有备用线(RCLm)之部份区域(10…13)之数目。7.如申请专利范围第4项之积体记亿体,其中编码单元(FBn)之数目小于所有备用线(RCLm)之部份区域(10…13)之数目。8.如申请专利范围第5项之积体记亿体,其中编码单元(FBn)之数目小于所有备用线(RCLm)之部份区域(10…13)之数目。图式简单说明:第1图本发明之积体记忆体之实施例。第2图是第1图之编码单元之实施例。第3图是第1图之记忆体方块之细部图。第4图第二位址和由第二位址所导出之部份位址之实施例。第5图编码单元之副单元以及第2图之比较单元之实施例。 |
