| 主权项 |
1.一种用以形成相变化记忆体之方法,其包含:形成一第一层相变化材料;在该第一层上形成一非相变化材料;及在该非相变化材料上形成一第二层相变化材料。2.如申请专利范围第1项之方法,包括形成由相同材料制成之该等第一与第二层。3.如申请专利范围第1项之方法,包括形成由不同材料制成之该等第一与第二层。4.如申请专利范围第1项之方法,包括形成一导电性非相变化材料。5.如申请专利范围第1项之方法,包括在一基材上方形成一孔。6.如申请专利范围第5项之方法,包括在该孔上形成一侧壁间隔件。7.如申请专利范围第6项之方法,包括在该侧壁间隔件上方形成该等第一与第二层及该非相变化材料。8.如申请专利范围第7项之方法,包括在该基材上方形成一接头且在该接头上形成该侧壁间隔件。9.如申请专利范围第8项之方法,包括以该第一层接触该接头。10.一种记忆体晶胞,其包含:一第一层相变化材料;一第二层相变化材料;及一非相变化材料,系在该等第一与第二层之间,该非相变化材料将该第一层与该第二层完全分开。11.如申请专利范围第10项之晶胞,其中由一相变化材料制成之该第一层系由一硫族化物材料制成。12.如申请专利范围第10项之晶胞,其中该等第一与第二层系不同相变化材料。13.如申请专利范围第10项之晶胞,其中该等第一与第二层相变化材料系相同材料。14.如申请专利范围第10项之晶胞,其中该非相变化材料是一导体。15.如申请专利范围第10项之晶胞,包括一半导体基材与一形成在该基材中之电气接头。16.如申请专利范围第15项之晶胞,包括一形成在该基材上方之绝缘层,及一穿过该绝缘层而形成之通道。17.如申请专利范围第16项之晶胞,其中该等第一与第二层系至少部份地形成在该通道中。18.如申请专利范围第17项之晶胞,包括一形成在该通道中且在该接头上方之侧壁间隔件。19.如申请专利范围第10项之晶胞,其中该等第一与第二层系呈杯状。20.如申请专利范围第10项之晶胞,其中该第二层相变化材料系构成为可提供热绝缘者。21.一种记忆体晶胞,其包含:一第一层相变化材料;及一第二层相变化材料,只有该等第一与第二层相变化材料之其中一层是可规划的。22.如申请专利范围第21项之晶胞,包括一在该等第一与第二层之间之非相变化材料。23.如申请专利范围第21项之晶胞,其中该第一层相变化材料系可规划的且该第二层相变化材料系作为该第一层相变化材料之一绝缘体。24.如申请专利范围第21项之晶胞,其中该第一层相变化材料系由一硫族化物材料制成。25.如申请专利范围第21项之晶胞,其中该等第一与第二层系不同相变化材料。26.如申请专利范围第21项之晶胞,其中该等第一与第二层相变化材料系相同材料。27.如申请专利范围第22项之晶胞,其中该非相变化材料是一导体。28.如申请专利范围第21项之晶胞,包括一半导体基材与一形成在该基材中之电气接头。29.如申请专利范围第28项之晶胞,包括一形成在该基材上方之绝缘层,及一穿过该绝缘层而形成之通道。30.如申请专利范围第29项之晶胞,其中该等第一与第二层系至少部份地形成在该通道中。31.一种记忆体晶胞,其包含:一第一层相变化材料;一第二层相变化材料,系与该第一层相变化材料不同;及一非相变化材料,系在该等第一与第二层之间。32.如申请专利范围第31项之晶胞,其中该非相变化材料是一电导体。33.如申请专利范围第31项之晶胞,其中该第二层相变化材料系构成为可提供热绝缘。34.一种记忆体晶胞,其包含:一第一层相变化材料;一第二层相变化材料;及一非相变化材料,系在该等第一与第二层之间。35.如申请专利范围第34项之晶胞,其中该等第一与第二层系不同相变化材料。36.如申请专利范围第34项之晶胞,其中该等第一与第二层相变化材料系相同材料。图式简单说明:第1图是本发明之一实施例之放大横截面图;第2图是一放大横截面图,显示本发明之一实施例之第1图所示之装置的初始制造阶段;第3图是一放大横截面图,显示本发明之一实施例之第2图所示之装置之后来的制造阶段;第4图是一放大横截面图,显示本发明之一实施例之第3图所示之装置之再后来的制造阶段;第5图是一放大横截面图,显示本发明之一实施例之第4图所示之装置之又后来的制造阶段;及第6图是一放大横截面图,显示本发明之一实施例之第5图所示之装置之又后来的制造阶段。 |
