发明名称 用于高电流密度用途的多层碳基场发射电子装置
摘要 一种电子场发射装置,是通过将基材放入反应器中,加热所述基材并向所述反应器中供入氢和一种浓度约为8-13%含碳气体的混合物,同时向所述基材附近的气体混合物施加能量,持续足够的时间,以生长第一层碳基材料至厚度大于约0.5微米,接着降低所述含碳气体的浓度并继续生长第二层碳基材料,所述第二层较第一层更厚。接着从所述第一层除去基材,并将一个电极涂敷到所述第二层之上。所述装置是独立支撑的,它可作为一种冷阴极用于多种电子装置之中,如阴极射线管、放大器和行波管。基材的表面在所述第一层生长之前可进行图案加工,从而在所述场发射装置上形成一种具有图案的表面。
申请公布号 CN1505827A 申请公布日期 2004.06.16
申请号 CN00820055.6 申请日期 2000.10.04
申请人 尖端设备公司 发明人 唐纳德·E·帕特森;基思·D·贾米森
分类号 H01J9/02;H01J1/304 主分类号 H01J9/02
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 南静环;宋莉
主权项 1.一种电子场发射装置,包括:具有两层的碳基主体,第一层的厚度大于约0.5微米,第二层的厚度大于第一层的厚度,所述两层是采用下述方法形成的:将基材放入到处于选定压力下的反应器中,并使所述基材处于选定范围的温度下,供给含有第一浓度的含碳气体和氢气的气体混合物到所述反应器中,同时向所述基材附近的气体混合物供应能量,并持续足以生长第一层的时间,然后降低所述含碳气体浓度至第二较低浓度并生长第二层,随后从所述第一层除去所述基材;和位于所述第二层上的电接点。
地址 美国得克萨斯州