| 主权项 |
1.一种光阻体图案形成用基板,其特征在于:其系由 化学增幅型光阻体膜、与在其上所形成的非晶性 聚烯烃类或含芳香环聚合物所构成,而且具有一厚 度在该光阻体膜之厚度以下之被覆膜。2.如申请 专利范围第1项之光阻体图案形成用基板,其中化 学增幅型光阻体膜上所形成的被覆膜,系由可被氟 取代之非晶性聚烯烃类所形成之被覆膜。3.如申 请专利范围第1项之光阻体图案形成用基板,其中 化学增幅型光阻体膜上所形成的被覆膜,系由可被 卤素取代之非晶性聚烯烃类所形成之被覆膜。4. 如申请专利范围第1项之光阻体图案形成用基板, 其中非晶性聚烯烃类,系为环烯类之开环聚合物或 其加氢物。5.如申请专利范围第1项之光阻体图案 形成用基板,其中含芳香环聚合物,系为芳香族乙 烯化合物之聚合物。6.如申请专利范围第1项之光 阻体图案形成用基板,其中被覆膜之厚度,系为化 学增幅型光阻体膜之0.05 ~90%。7.一种光阻体图案 形成用基板之制造方法,其特征在于:其系包括(A) 在加工用基板上形成化学增幅型光阻体膜之步骤; 以及(B)在该化学增幅型光阻体膜上形成由非晶性 聚烯烃类或含芳香环聚合物所构成,而且其厚度在 该光阻体膜之厚度以下的被覆膜之步骤。8.如申 请专利范围第7项之光阻体图案形成用基板之制造 方法,其(B)步骤中,系藉由将溶解在沸点为80~200℃ 之溶剂中的非晶性聚烯烃类或含芳香环聚合物予 以涂布、乾燥而形成被覆膜。9.一种化学增幅型 光阻体膜之被覆膜用组成物,其特征在于:其系含 有非晶性聚烯烃类或含芳香环聚合物、及溶剂。 10.一种光阻体图案形成用基板之制造方法,其特征 在于:其系包括(C)在如申请专利范围第1项之加工 用基板上照射离子化放射线,使在光阻体膜中形成 潜像图案之步骤;以及(D)对具有潜像图案之化学增 幅型光阻体膜进行显像处理,以使该潜像图案显像 化之步骤。11.如申请专利范围第10项之光阻体图 案形成用基板之制造方法,其(C)步骤中之离子化放 射线系为粒子线。12.如申请专利范围第10项之光 阻体图案形成用基板之制造方法,其(C)步骤中,系 于潜像图案形成中除去光阻体膜表面之被覆膜。 13.如申请专利范围第12项之光阻体图案形成用基 板之制造方法,其(C)步骤中,于潜像图案形成中除 去光阻体膜表面之被覆膜之前,系先以60~130℃进行 加热处理。14.如申请专利范围第12项之光阻体图 案形成用基板之制造方法,其(C)步骤中,系先于潜 像图案形成除去光阻体膜表面之被覆膜,接着以60~ 130℃进行加热处理。15.一种半导体装置或半导体 装置制作用组件之制造方法,其特征在于:实施如 申请专利范围第10项之光阻体图案之形成方法的 步骤,接着实施蚀刻步骤及光阻体剥离步骤。16.如 申请专利范围第15项之半导体装置或半导体装置 制作用组件之制造方法,其中半导体装置制作用组 件系为光罩。 |
