| 主权项 |
1.一种微影蚀刻制程中所用可硬化、抗反射组合 物,该组合物包括分散于溶剂系统中之聚合物结合 剂及光衰减化合物,其改善包括该聚合物结合剂包 括下式之重复单体 其中聚合物结合剂之各单体中之R系独立选自包含 氢及C1-8烷基,且聚合物结合剂之各单体中之X系独 立选自包含-HI2.-I3.-HF2.-F3.-HCl2.-Cl3.-HBr2.及-Br3,该聚 合物结合剂系以30至90重量百分比之量存在该抗反 射涂层中,而该光衰减化合物系以4至50重量百分比 之量存在该聚合物结合剂中。2.如申请专利范围 第1项之组合物,其中该光衰减化合物系与聚合物 结合剂键结。3.如申请专利范围第1项之组合物,其 中该组合物式包括交联剂及该交联剂用之触媒。4 .如申请专利范围第1项之组合物,其中当使用CF4当 作蚀刻剂时,该组合物对光阻剂之蚀刻选择性至少 1.2。5.如申请专利范围第1项之组合物,其中该聚合 物结合剂之重量平均分子量1,000-1,000,000道尔吞。6 .如申请专利范围第1项之组合物,其中该组合物之k 値在248nm下至少0.3。7.如申请专利范围第1项之组 合物,其中该组合物之n値在248nm下至少1.35。8.一种 微影蚀刻制程中所用可硬化、抗反射组合物,该组 合物包括分散于溶剂系统中之聚合物结合剂及光 衰减化合物,其改善包括该聚合物结合剂包括下式 之重复单体 其中聚合物结合剂之各单体中之R及R'系独立选自 包含氢及C1-8烷基,且聚合物结合剂之各单体中之X 系独立选自包含-HI2.-I3.-HF2.-F3.-HCl2.-Cl3.-HBr2.及-Br3, 且聚合物结合剂之各单体中之X'系独立选自包含 氢及光衰减化合物,该聚合物结合剂系以30至90重 量百分比之量存在该抗反射涂层中,而该光衰减化 合物系以4至50重量百分比之量存在该聚合物结合 剂中。9.如申请专利范围第8项之组合物,其中X'为 选自包含对胺基苯磺酸、、、苯、查耳酮、 醯亚胺、双羟酸、氮、偶氮化合物、二苯 并喃、其衍生物之光衰减化合物。10.如申请专 利范围第8项之组合物,其中i:j之莫耳比为1:9至9:1 。11.如申请专利范围第8项之组合物,其中该聚合 物结合剂之重量平均分子量1,000-1,000,000道尔吞。 12.如申请专利范围第8项之组合物,其中该组合物 之k値在248nm下至少0.3。13.如申请专利范围第8项之 组合物,其中该组合物之n値在248nm下至少1.35。14. 一种形成制造积体电路中所用前驱物结构之方法, 该方法包括之步骤为将一定量之如申请专利范围 第1项之抗反射组合物涂布于基材表面上,在该基 材表面上形成抗反射涂层。15.如申请专利范围第 14项之方法,其中该抗反射涂层之k値在248nm下至少 为0.3。16.如申请专利范围第14项之方法,其中该组 合物之n値在248nm下至少1.35。17.如申请专利范围第 14项之方法,其中该涂布步骤包括将该组合物旋转 涂布于该基材表面上。18.如申请专利范围第14项 之方法,上包含之步骤为在至少160℃之温度下,于 该涂布步骤厚烘烤该抗反射层。19.如申请专利范 围第14项之方法,上包含之步骤为涂布光阻剂于该 抗反射层上。20.如申请专利范围第14项之方法,上 包含之步骤为: 使至少一部份该光阻剂层暴露于活化之辐射下; 使该经曝晒之光阻剂层显像;及 蚀刻该显像之光阻剂层。21.如申请专利范围第14 项之方法,其中当使用CF4当作蚀刻剂时,该抗反射 涂层具有对光阻抗之蚀刻选择性至少1.2。22.一种 形成制造积体电路中所用前驱物结构之方法,该方 法包括之步骤为将一定量之如申请专利范围第8项 之抗反射组合物涂布于基材表面上,在该基材表面 上形成抗反射涂层。23.如申请专利范围第22项之 方法,其中X'为选自包含对胺基苯磺酸、、、 苯、查耳酮、醯亚胺、双羟酸、氮、偶氮 化合物、二苯并喃、其衍生物之光衰减化合物 。24.如申请专利范围第22项之方法,其中i:j之莫耳 比为1:9至9:1。25.如申请专利范围第22项之方法,其 中X'为在该聚合物结合剂中含量以聚合物结合剂 之总重当作100wt%为准,为4-50wt%之光衰减化合物。26 .一种具有表面之基材及在该基材表面上之抗反射 层之结合物,该抗反射层中包含包括下式在重复单 体之聚合物结合剂 其中聚合物结合剂之各单体中之R系独立选自包含 氢及C1-8烷基,且聚合物结合剂之各单体中之X系独 立选自包含-HI2.-I3.-HF2.-F3.-HCl2.-Cl3.-HBr2.及-Br3。27. 如申请专利范围第26项之结合物,其中当使用CF4当 作蚀刻剂时,该组合物对光阻剂之蚀刻选择性至少 1.2。28.如申请专利范围第26项之结合物,其中该抗 反射层之k値在248nm下至少0.3。29.如申请专利范围 第26项之结合物,其中该抗反射层之n値在248nm下至 少1.4。30.一种具有表面之基材及在该基材表面上 之抗反射层之结合物,该抗反射层中包含包括下式 之重复单体之聚合物结合剂: 其中聚合物结合剂之各单体中之R及R'系独立选自 包含氢及C1-8烷基,且聚合物结合剂之各单体中之X 系独立选自包含-HI2.-I3.-HF2.-F3.-HCl2.-Cl3.-HBr2.及-Br3, 且聚合物结合剂之各单体中之X'系独立选自包含 氢及光衰减化合物。31.如申请专利范围第30项之 结合物,其中X'为选自包含对胺基苯磺酸、、 苯、查耳酮、醯亚胺、双羟酸、氮、偶氮 化合物、二苯并喃、其衍生物之光衰减化合物 。32.如申请专利范围第30项之结合物,其中i:j之莫 耳比为1:9至9:1。33.如申请专利范围第30项之结合 物,其中X'为在该聚合物结合剂中含量以聚合物结 合剂之总重当作100wt%为准为4-50wt%之光衰减化合物 。34.一种具有下式之重复单体, ,其中聚合物结合剂之各单体中之R及R'系独立选自 包含氢及C1-8烷基,且聚合物结合剂之各单体中之X 系独立选自包含-HI2.-I3.-HF2.-F3.-HCl2.-Cl3.-HBr2.及-Br3, 且X'系独立选自包含对胺基苯磺酸、、、苯 、查耳酮、醯亚胺、双羟酸、氮、偶氮化 合物、二苯并喃。35.一种包括下式重复单体之 聚合物, ,其中聚合物结合剂之各单体中之R及R'系独立选自 包含氢及C1-8烷基,且聚合物结合剂之各单体中之X 系独立选自包含-HI2.-I3.-HF2.-F3.-HCl2.-Cl3.-HBr2.及-Br3, 且聚合物结合剂之各单体中之X'系独立选自包含 对胺基苯磺酸、、、苯、查耳酮、醯亚胺 、双羟酸、氮、偶氮化合物、二苯并喃。 36.一种微影蚀刻制程中所用可硬化、抗反射组合 物,该组合物包括分散于溶剂系统中之聚合物结合 剂及光衰减化合物,其改善包括该聚合物结合剂包 括下式之重复单体 其中聚合物结合剂之各单体中之R系独立选自包含 氢及C1-8烷基,且聚合物结合剂之各单体中之X系独 立选自包含卤素及卤化氢,该聚合物结合剂以聚合 物结合剂之总重当作100wt%为准,包括20-80wt%之卤素 原子,该聚合物结合剂系以30至90重量百分比之量 存在该抗反射涂层中,而该光衰减化合物系以4至50 重量百分比之量存在该聚合物结合剂中。37.如申 请专利范围第36项之组合物,其中该组合物尚包括 交联剂及该交联剂用之触媒。38.一种微影蚀刻制 程中所用可硬化、抗反射组合物,该组合物包括分 散于溶剂系统中之聚合物结合剂及光衰减化合物, 其改善包括该聚合物结合剂包括下式之重复单体 其中聚合物结合剂之各单体中之R及R'系独立选自 包含氢及C1-8烷基,且聚合物结合剂之各单体中之X 系独立选自包含卤素及卤化氢,且聚合物结合剂之 各单体中之X'系独立选自氢及光衰减化合物,该聚 合物结合剂以聚合物结合剂之总重当作100wt%为准, 包括20-80wt%之卤素原子,该聚合物结合剂系以30至90 重量百分比之量存在该抗反射涂层中,而该光衰减 化合物系以4至50重量百分比之量存在该聚合物结 合剂中。39.如申请专利范围第38项之组合物,其中i :j之莫耳比为1:9至9:1。40.一种形成制造积体电路 中所用前驱物结构之方法,该方法包括之步骤为将 一定量之如申请专利范围第36项之抗反射组合物 涂布于基材表面上,在该基材表面上形成抗反射层 。41.如申请专利范围第40项之方法,上包含之步骤 为将光阻剂涂布于该抗反射层上。42.如申请专利 范围第41项之方法,尚包含之步骤为: 使至少一部份该光阻剂层暴露于活化之辐射下; 使该经曝晒之光阻剂层显像;及 蚀刻该显像之光阻剂层。43.一种形成制造积体电 路中所用前驱物结构之方法,该方法包括之步骤为 将一定量之如申请专利范围第38项之抗反射组合 物涂布于基材表面上,在该基材表面上形成抗反射 涂层。44.如申请专利范围第43项之方法,其中i:j之 莫耳比为1:9至9:1。45.如申请专利范围第43项之方 法,其中X'为在该聚合物结合剂中含量以聚合物结 合剂之总重当作100wt%为准,为4-50wt%之光衰减化合 物。46.一种具有表面之基材及在该基材上之抗反 射层之结合物,该抗反射层中包含光衰减化合物及 包括下式之重复单体之聚合物结合剂: 其中聚合物结合剂之各单体中之R系独立选自包含 氢及C1-8烷基,且聚合物结合剂之各单体中之X系独 立选自包含卤素及卤化氢,该聚合物结合剂以聚合 物结合剂之总重当作100wt%为准,包括20-80wt%之卤素 原子。47.一种具有表面之基材及在该基材上之抗 反射层之结合物,该抗反射层中包含包括下式之重 复单体之聚合物结合剂: 其中聚合物结合剂之各单体中之R及R'系独立选自 包含氢及C1-8烷基,且聚合物结合剂之各单体中之X 系独立选自包含卤素及卤化氢,且聚合物结合剂之 各单体中之X'系独立选自氢及光衰减化合物,该聚 合物结合剂以聚合物结合剂之总重当作100wt%为准, 包括20-80wt%之卤素原子。48.如申请专利范围第47项 之结合物,其中i:j之莫耳比为1:9至9:1。49.如申请专 利范围第47项之结合物,其中X'为在该聚合物结合 剂中含量以聚合物结合剂之总重当作100wt%为准为4 -50wt%之光衰减化合物。50.一种具有下式之重复单 体, ,其中聚合物结合剂之各单体中之R及R'系独立选自 包含氢及C1-8烷基,且聚合物结合剂之各单体中之X 系独立选自包含卤素及卤化氢,且聚合物结合剂之 各单体中之X'系选自包含对胺基苯磺酸、、 、苯、查耳酮、醯亚胺、双羟酸、氮、偶 氮化合物、二苯并喃,该聚合物结合剂以聚合物 结合剂之总重当作100wt%为准,包括20-80wt%之卤素原 子。51.一种包括下式重复单体之聚合物, 其中聚合物结合剂之各单体中之R及R'系独立选自 包含氢及C1-8烷基,且聚合物结合剂之各单体中之X 系独立选自包含卤素及卤化氢,且聚合物结合剂之 各单体中之X'系独立选自对胺基苯磺酸、、 、苯、查耳酮、醯亚胺、双羟酸、氮、偶 氮化合物、二苯并喃,该聚合物结合剂以聚合物 结合剂之总重当作100wt%为准,包括20-80wt%之卤素原 子。 |
