| 发明名称 | 用于制备光学基体上防水涂层的材料及方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于在光学基体上制备防水涂层的材料和方法。在高真空下对基体使用通式I的化合物：C<SUB>n</SUB>F<SUB>2n+1</SUB>-(CH<SUB>2</SUB>)<SUB>m</SUB>-Si(R<SUP>1</SUP>R<SUP>2</SUP>R<SUP>3</SUP>) (I),其中，R<SUP>1</SUP>是具有1～3个碳原子的烷氧基或是C<SUB>n</SUB>F<SUB>2n+1</SUB>-(CH<SUB>2</SUB>)<SUB>m</SUB>-Si(R<SUP>2</SUP>R<SUP>3</SUP>)-O-,R<SUP>2</SUP>和R<SUP>3</SUP>是具有1～3个碳原子的烷基或烷氧基，n是1～12,m是1～6。 | ||
| 申请公布号 | CN1152153C | 申请公布日期 | 2004.06.02 |
| 申请号 | CN96122668.4 | 申请日期 | 1996.10.25 |
| 申请人 | 默克专利股份有限公司 | 发明人 | R·多伯罗斯基;M·弗里兹 |
| 分类号 | C23C14/12;C03C17/30;G02B1/10 | 主分类号 | C23C14/12 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 徐汝巽 |
| 主权项 | 1、在高真空下，用有机硅烷化合物，通过加热气相涂敷法在光学基体上制备防水涂层的方法，其特征在于所说的气相涂敷是用通式I的化合物进行的，CnF2n+1-(CH2)m-Si(R1R2R3) (I)其中，R1是具有1～3个碳原子的烷氧基或是CnF2n+1-(CH2)m-Si(R2R3)-O- R2和R3是具有1～3个碳原子的烷基或烷氧基，n是1～12m是1～6，和通过浸渍或通过逐滴加入，将通式I的化合物或其溶液引入多孔无机氧化物基质中。 | ||
| 地址 | 联邦德国达姆施塔特 | ||