“绝缘体上的硅”半导体装置及其制造方法

摘要

本发明的目的在于提供一种SOI半导体装置,其中将在SOI衬底上形成的阱完全分离开,通过用施加到阱接触点上的偏置电压来控制该阱的电位,以动态方式使其变化。该SOI半导体装置由SOI衬底10;阱11、21以及晶体管14、24构成,阱11、21被从表面半导体层3到埋置绝缘膜2的阱完全分离膜4分离开,晶体管14、24被在表面半导体层3的表面上形成的元件分离膜5分离开,而且构成晶体管14、24的沟道区被部分地耗尽,源/漏区12、22下被完全地耗尽。

主权项

1．一种SOI半导体装置，其特征在于：该装置由层叠埋置绝缘膜和表面半导体层而构成的SOI衬底、在上述表面半导体层中形成的至少1个阱和在该阱中形成的至少1个晶体管构成，上述阱与上述表面半导体层的该阱以外的区域完全分离开，而且具有对上述阱施加偏置电压用的阱接触点，上述晶体管被在上述半导体层的表面上形成的元件分离膜分离开，而且构成上述晶体管的沟道区被部分地耗尽，源/漏区下被完全地耗尽。