半导体装置及其制造方法

摘要

本发明之半导体装置及其制造方法，其目的在于只对所期望之MOS电晶体施加拉伸应力至通道区域以使载子迁移率提高，且抑制制程之复杂化。其解决手段系藉由在矽基板10上以非单晶矽形成nMOS电晶体之闸极绝缘膜13及闸电极14，且将闸电极14当作罩幕而植入例如砷(As)或锑(Sb)等质量数较大(质量数70以上)的n型掺杂剂，以形成nMOS电晶体之源极汲极区域。藉此，闸电极14会非晶质化。然后，以闸电极14再结晶化之温度(约550℃)以下之温度条件覆盖闸电极14的方式形成氧化矽膜40，之后进行1000℃左右之加热处理。藉此，会在闸电极14内残留较强的压缩应力，同时在其下方之通道区域上施加较强的拉伸应力，而该nMOS电晶体之载子迁移率会提高。