| 主权项 |
1.一种嵌入环,应用于半导体制程中的乾式蚀刻制程,其特征在于,该嵌入环内侧之一边缘上,设有一导角。2.如申请专利范围第1项所述之嵌入环,其中,该嵌入环之材质为矽。3.如申请专利范围第1项所述之嵌入环,其中,该嵌入环之形状为圆形。4.如申请专利范围第1项所述之嵌入环,其中,该导角与该嵌入环轴向之夹角为20至24度。5.一种嵌入环,应用于半导体制程中的乾式蚀刻制程,其特征在于,该嵌入环内侧之上侧边缘上设有一上侧导角,该嵌入环内侧之下侧边缘上则设有一下侧导角。6.如申请专利范围第5项所述之嵌入环,其中,该嵌入环之材质为矽。7.如申请专利范围第5项所述之嵌入环,其中,该嵌入环之形状为圆形。8.如申请专利范围第5项所述之嵌入环,其中,该上侧导角与该嵌入环轴向之夹角为20至24度。9.如申请专利范围第5项所述之嵌入环,其中,该下侧导角与该嵌入环轴向之夹角为20至24度。10.一种乾式蚀刻电极,包括:一静电吸附盘;一覆盖环,环绕于该静电吸附盘;以及一嵌入环,设于该静电吸附盘与该覆盖环之间;其中,该嵌入环内侧之一边缘上设有一导角。11.如申请专利范围第10项所述之乾式蚀刻电极,其中,该嵌入环之材质为矽。12.如申请专利范围第10项所述之乾式蚀刻电极,其中,该嵌入环之形状为圆形。13.如申请专利范围第10项所述之乾式蚀刻电极,其中,该导角与该嵌入环轴向之夹角为20至24度。14.如申请专利范围第10项所述之乾式蚀刻电极,其中,该静电吸附盘之表面具有复数个氦气孔。15.如申请专利范围第10项所述之乾式蚀刻电极,其中,该覆盖环之材质为石英。16.一种乾式蚀刻电极,包括:一静电吸附盘;一覆盖环,环绕于该静电吸附盘;以及一嵌入环,设于该静电吸附盘与该覆盖环之间;其中,该嵌入环内侧之上侧边缘上设有一上侧导角,该嵌入环内侧之下侧边缘上则设有一下侧导角。17.如申请专利范围第16项所述之乾式蚀刻电极,其中,该嵌入环之材质为矽。18.如申请专利范围第16项所述之乾式蚀刻电极,其中,该嵌入环之形状为圆形。19.如申请专利范围第16项所述之乾式蚀刻电极,其中,该上侧导角与该嵌入环轴向之夹角为20至24度。20.如申请专利范围第16项所述之乾式蚀刻电极,其中,该下侧导角与该嵌入环轴向之夹角为20至24度。21.一种乾式蚀刻设备,包括:一蚀刻反应器,该蚀刻反应器包括一乾式蚀刻电极;以及一电浆产生器,该电浆产生器与该蚀刻反应器相连接;其中,该乾式蚀刻电极包括一静电吸附盘;一覆盖环,环绕于该静电吸附盘;以及一嵌入环,设于该静电吸附盘与该覆盖环之间,该嵌入环内侧之上侧边缘上设有一上侧导角,该嵌入环内侧之下侧边缘上则设有一下侧导角。22.如申请专利范围第21项所述之乾式蚀刻设备,其中,该嵌入环之材质为矽。23.如申请专利范围第21项所述之乾式蚀刻设备,其中,该嵌入环之形状为圆形。24.如申请专利范围第21项所述之乾式蚀刻设备,其中,该上侧导角与该嵌入环轴向之夹角为20至24度。25.如申请专利范围第21项所述之乾式蚀刻设备,其中,该下侧导角与该嵌入环轴向之夹角为20至24度。图式简单说明:第1图系显示乾式蚀刻机的部分构造图;第2图系显示静电吸附盘的俯视图;第3a图系显示习知之嵌入环的正视图;第3b图系显示习知之嵌入环的侧视图;第3c图系显示第3b图的A部分放大图;第4a、4b、4c、4d、4e图系显示习知之嵌入环的使用状况示意图;第5a图系显示本发明之嵌入环的正视图;第5b图系显示本发明之嵌入环的侧视图;第5c图系显示第6b图的B部分放大图;第6a、6b、6c图系显示本发明之嵌入环的使用状况示意图;第7图系显示本发明之嵌入环在实际生产上所带来的改善效果比较图表。 |
