| 主权项 |
1.一种光滙流排包括: 一种至少具有第一侧面和第二侧面的围体,每个侧 面都包括一种半导体结构,其中该半导体结构包括 : 一单晶矽基底; 覆盖着单晶矽基底之一非结晶氧化物材料; 覆盖着非结晶氧化物材料之一非结晶钙钛矿氧化 物材料;以及 覆盖着非结晶钙钛矿氧化物材料之一单晶化合物 半导体材料; 形成在第一侧面之半导体结构内的第一光源-检测 器对,其中第一光源-检测器对包括第一半导体光 源和第一半导体光检测器;以及 形成在第二侧面之半导体结构内的第二光源-检测 器对,其中第二光源-检测器对包括第二半导体光 源和第二半导体光检测器。2.根据申请专利范围 第1项之光滙流排,其中第二半导体光检测器能够 检测出来自第一半导体光源的发射讯号。3.根据 申请专利范围第1项之光滙流排,其中围体之一个 或更多内表面对于来自第一和第二半导体光源的 发射讯号都是实质上不具反射性的。4.根据申请 专利范围第1项之光滙流排,其中第一侧面具有多 数光源-检测器对,每对都具有形成在半导体结构 内之一半导体光源和一半导体光检测器;而第二侧 面则具有一内表面,其中:内表面其中至少一部份 对于来自诸多半导体光源的发射讯号是具有至少 部份反射性的。5.根据申请专利范围第4项之光滙 流排,其中多数光源-检测器对中的两个或更多光 源-检测器对都是被电互连的。6.根据申请专利范 围第4项之光滙流排,其中将内表面之具有至少部 份反射性的部份加以整形,以补偿讯号等待时间。 7.根据申请专利范围第1项之光滙流排,其中至少一 个半导体光检测器是一族群IV半导体光学元件和 一化合物半导体光学元件其中之一。8.根据申请 专利范围第1项之光滙流排,其中至少一个半导体 光源是一族群IV半导体光学元件和一化合物半导 体光学元件其中之一。9.根据申请专利范围第1项 之光滙流排,进一步包括:遍及至少一个半导体光 源的一种发射分散材料(emission-dispersing material)。 10.根据申请专利范围第9项之光滙流排,其中发射 分散材料是:一种具有高折射率的透明介电质封装 (dielectric encapsulate)和一种嵌入粒子(particles)的透 明聚合物封装其中之一,其中粒子具有的折射率与 聚合物材料的不同。11.根据申请专利范围第1项之 光滙流排,其中:将第一光源-检测器对耦合到光滙 流排外部的第一元件,并且将第二光源-检测器对 耦合到光滙流排外部的第二元件;其中藉由第二半 导体光检测器检测出来自第一半导体光源的发射 讯号,第一元件就会将资讯传送到第二元件。12.根 据申请专利范围第1项之光滙流排,进一步包括:至 少部份地形成在半导体结构内的处理电路。13.一 种光滙流排包括: 具有第一表面的第一侧面,第一侧面包括一种半导 体结构,其中该半导体结构包括: 一单晶矽基底; 覆盖着单晶矽基底之一非结晶氧化物材料; 覆盖着非结晶氧化物材料之一单晶钙钛矿氧化物 材料;以及 覆盖着单晶钙钛矿氧化物材料之一单晶化合物半 导体材料; 形成在半导体结构内的第一和第二光源-检测器对 ,其中每个光源-检测器对都包括一半导体光源和 一半导体光检测器;以及 具有第二表面的第二侧面,其中:第二表面其中至 少一部份对于来自诸多半导体光源中的一个或更 多光源之发射讯号是具有至少部份反射性的; 其中诸多半导体光检测器中的一个或更多光检测 器都能够检测出反射发射讯号,且其中第一和第二 表面都被封闭,以阻绝外部辐射发射讯号。14.根据 申请专利范围第13项之光滙流排,其中第一表面和 第二表面中的一个或更多表面包括一种发射分散 材料。15.根据申请专利范围第13项之光滙流排,其 中将第二表面之具有至少部份反射性的部份加以 整形,以补偿讯号等待时间。16.根据申请专利范围 第13项之光滙流排,其中第一表面和第二表面中的 一个或更多表面对于发射讯号都是具有部份吸收 性的。17.根据申请专利范围第13项之光滙流排,其 中第二侧面包括半导体结构,光滙流排进一步包括 形成在第二侧面之半导体结构内的一个或更多光 源-检测器对。18.根据申请专利范围第17项之光滙 流排,其中:第一表面其中至少一部份对于来自第 二侧面之诸多半导体光源中的一个或更多光源之 发射讯号是具有至少部份反射性的。19.根据申请 专利范围第18项之光滙流排,其中将第一表面之具 有至少部份反射性的部份加以整形,以补偿讯号等 待时间。20.一种用来制造光滙流排的方法包括: 由一种半导体结构中形成一个或更多光源-检测器 对,形成的步骤包括以下步骤: 提供一单晶矽基底; 沉积覆盖着单晶矽基底的第二区域之一单晶钙钛 矿氧化膜,该膜具有的厚度小于可能会导致应变感 应(strain-induced)缺陷之材料的厚度; 在单晶钙钛矿氧化膜与单晶矽基底之间的界面处 形成一单晶氧化物界面层; 以磊晶方式形成覆盖着单晶钙钛矿氧化膜之一单 晶化合物半导体层;以及 形成在单晶化合物半导体层内的一个或更多光学 元件,其中每个光学元件都是一光检测器和一光源 其中之一; 形成使用半导体结构之一围体,其中一个或更多光 学元件面对着该围体之一内面;以及 密封该围体,以阻绝外部辐射发射讯号。21.根据申 请专利范围第20项之方法,其中形成一个或更多光 源-检测器对的步骤进一步包括:至少部份地形成 一个或更多光学元件在一区域中的单晶矽基底内 之步骤,其中每个光学元件都是一光检测器和一光 源其中之一。22.根据申请专利范围第20项之方法, 其中形成一围体的步骤包括:将半导体结构的每个 边缘与另一半导体结构之一边缘连结起来,以便形 成一种多面结构。23.根据申请专利范围第22项之 方法,其中每个半导体结构都包括:在单晶化合物 半导体层内的一个或更多光学元件,其中每个光学 元件都是一光检测器和一光源其中之一。24.根据 申请专利范围第20项之方法,其中形成一围体的步 骤包括:从半导体结构中加以蚀刻围体,并且将一 个或更多光学元件曝露于围体。25.根据申请专利 范围第20项之方法,进一步包括:提供一种对于来自 光源之发射讯号是具有至少部份反射性的表面之 步骤,其中形成一围体的步骤包括:将表面与具有 面对着表面之一个或更多光学元件的半导体结构 加以隔开,并且该表面实质上平行于半导体结构。 26.根据申请专利范围第25项之方法,其中将具有至 少部份反射性的表面加以整形,以补偿讯号等待时 间。27.一种在使用光滙流排对两个元件之间的通 讯方法包括: 产生在第一元件处之一讯号; 产生来自一光源的辐射发射讯号以回应该讯号,该 光源形成在一种半导体结构内,而半导体结构则包 括:一单晶矽基底,覆盖着单晶矽基底之一非结晶 氧化物材料,覆盖着非结晶氧化物材料之一单晶钙 钛矿氧化物材料,以及覆盖着单晶钙钛矿氧化物材 料之一单晶化合物半导体材料; 检测出在一光检测器处的辐射发射讯号,该光检测 器形成在第二半导体结构内,而第二半导体结构则 包括:一单晶矽基底,覆盖着单晶矽基底之一非结 晶氧化物材料,覆盖着非结晶氧化物材料之一单晶 钙钛矿氧化物材料,以及覆盖着单晶钙钛矿氧化物 材料之一单晶化合物半导体材料; 重新产生来自辐射发射讯号之讯号;以及 将重新产生的讯号传送到第二元件。图式简单说 明: 图1是以截面图来概略地图解说明:根据本发明之 一实施例的光滙流排之概念图; 图2,3及4都是以截面图来概略地图解说明:根据本 发明之各种实施例的半导体元件结构; 图5以曲线图来图解说明:在最大可得薄膜厚度与 主体晶体和生长结晶覆叠层(overlayer)间的晶格不 匹配之间的关系; 图6图解说明:包括一单晶适应缓冲层之一结构的 一种高解析度透射式电子显微照片(Transmission Electron Micrograph); 图7图解说明:包括一单晶适应缓冲层之一结构的 一种x射线绕射光谱(x-ray diffraction spectrum); 图8图解说明:包括非结晶氧化物层之一结构的一 种高解析度透射式电子显微照片; 图9图解说明:包括非结晶氧化物层之一结构的一 种x射线绕射光谱; 图10到13都是以截面图来概略地图解说明:根据本 发明之另一实施例的一种元件结构之形成; 图14到17都是图解说明:在图10到13中所图解说明的 元件结构之一可能的分子键合结构(molecular bonding structure); 图18到21都是以截面图来概略地图解说明:根据本 发明之又一实施例的一种元件结构之形成; 图22到24都是以截面图来概略地图解说明:根据本 发明之一元件结构的又一实施例之形成; 图25是以截面图来概略地图解说明:一种能够根据 本发明的各种实施例而使用的元件结构;以及 图26到28包括:根据此处所显示,另一种积体电路之 一部份的截面图之图示例,该积体电路包括:一半 导体雷射及一光电二极体。 |
