发明名称 半导体存储器、半导体器件以及半导体器件的控制方法
摘要 表面面积小的存储器单元,分别选择每个存储器单元的局部数据线,连接于全局数据线,以时间复用方式执行读出和写入。存储器单元能够置于字线和数据线的所有交点处。借助于建立完全相同的模拟单元的标准阈值电压,获得了改善的噪声裕度。在写入过程中将写入数据暂时保存在存储器单元中的寄存器,被用作在写入验证过程中保存表示写入已经终止的标志的寄存器。由一个nMOS晶体管组成的电路被用作改变写入终止标志上的数值的装置。
申请公布号 CN1495904A 申请公布日期 2004.05.12
申请号 CN03158004.1 申请日期 1999.01.28
申请人 株式会社日立制作所 发明人 佐野聪明;石井智之;矢野和男;峰利之
分类号 H01L27/105;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792;H01L21/8247 主分类号 H01L27/105
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 王永刚
主权项 1.一种制作在衬底上并由多个用来借助于电荷积累或放电而存储信息的存储器组成的半导体存储器,其中一组二个所述存储器单元垂直排列在所述衬底上,所述多个存储器分别连接于数据线和字线,且当选择多个存储器单元中的至少一个时,地址信号被输入到地址预译码器和局部数据线译码器,一条字线被来自地址预译码器的信号选定,利用来自局部数据线译码器的信号来选定数据线,且在可用数据的选择中,一组二个所述垂直排列的存储器单元的数据线在某些情况下被同时选择,而在某些情况下被分别选择。
地址 日本东京