具有非对称沟道结构的功率MOS器件

摘要

一种功率MOSFET型器件，可包括具有相同正向转移特性的IGBT或其它VDMOS，以非对称沟道形成，使在器件的不同部分产生不同栅压阈特性。不同的栅压阈特性(V_TH1，V_TH2)可通过在栅氧化层(24)下面，或以不同源极区域的掺杂浓度(28(1)，28(2))，或不同体区的掺杂浓度(22(1)，22(2))，或通过非对称栅氧化层(24(1)，24(2))的厚度(T1，T2)来实现。根据设计者的选择，受到影响的沟道部分可为50％或其它的比例，来减小器件的零温度系数点和提高其线性运作的安全工作区域，同时保持其低传导损耗。多个具有非对称沟道的功率MOSFET器件可很容易地安全地运用于并行的线性功率放大电路中。

主权项

1.一种功率MOSFET型器件，包括：掺入第一种掺杂物的基体；设置于基体表面之上并隔离的第一和第二栅极结构；在基体中形成的具有第二种掺杂物的体区并具有第一和第二隔离的沟道区域，所述沟道区域分别设置于第一和第二栅极结构的下方；在体区中形成第一掺杂物型的第一和第二源极区域；第一和第二沟道区域具有不同的栅阈压特性。