半导体衬底及其制造方法和半导体器件及其制造方法

摘要

获得可保持双向耐压、且可靠性高的半导体器件及其制造方法和半导体衬底及其制造方法。为此，N^－型硅衬底1具有相对的底面和上表面。基于P型杂质的扩散，在N^－型硅衬底1的底面内全面形成高浓度的P型杂质扩散层3。而且，基于P型杂质的扩散，在N^－型硅衬底1的上表面内局部形成P型隔离区2。P型隔离区2具有抵达P型杂质扩散层3的上表面的底面。另外，当从N^－型硅衬底1的上表面一侧观察时，P型隔离区2包围作为N^－型硅衬底1的一部分的N^－区1a而形成。并且，被P型隔离区2包围的上述N^－区1a被规定为N^－型硅衬底1的元件形成区。

主权项

1.一种半导体衬底，其包括：具有相对的第1主表面和第2主表面的第1导电型的衬底；基于杂质扩散在上述第1主表面内形成的、与上述第1导电型不同的第2导电型的杂质扩散层；基于杂质扩散在上述第2主表面内局部形成、具有抵达上述杂质扩散层的底面、从平面上看包围上述衬底的上述第1导电型的一部分的上述第2导电型的杂质扩散区，被上述杂质扩散区包围的部分被规定为元件形成区。