| 主权项 |
1.一种覆晶晶片,至少包括:一晶片,具有一主动表面、一保护层、至少一讯号焊垫及至少一非讯号焊垫,其中该保护层、该讯号焊垫及该非讯号焊垫均配置于该晶片之该主动表面,且该保护层系暴露出该讯号焊垫及该非讯号焊垫;至少一讯号球底金属层,配置于该讯号焊垫上;至少一非讯号球底金属层,配置于该非讯号焊垫上,其中该非讯号球底金属层与该非讯号焊垫之间的接触面积系至少大于该讯号球底金属层与该讯号焊垫之间的接触面积之10%;至少一讯号凸块,配置于该讯号球底金属层上;以及至少一非讯号凸块,配置于该非讯号球底金属层上。2.如申请专利范围第1项所述之覆晶晶片,其中该非讯号焊垫系为电源焊垫及接地焊垫其中之一。3.如申请专利范围第1项所述之覆晶晶片,其中该非讯号凸块之高度系相当于该讯号凸块之高度。4.如申请专利范围第1项所述之覆晶晶片,其中该非讯号焊垫所暴露出之面积系大于该讯号焊垫所暴露出之面积。5.如申请专利范围第1项所述之覆晶晶片,其中该非讯号球底金属层之分布面积系大于该讯号球底金属层之分布面积。6.如申请专利范围第1项所述之覆晶晶片,其中该非讯号焊垫之面积系大于该讯号焊垫之面积。7.如申请专利范围第1项所述之覆晶晶片,其中该晶片更具有一重配置线路层,其配置于该晶片之该主动表面,而该讯号焊垫及该非讯号焊垫系由该重配置线路层所构成。图式简单说明:第1图为习知之一种覆晶晶片的剖面示意图;第2图为本发明之较佳实施例之一种覆晶晶片的剖面示意图;以及第3图为本发明之较佳实施例之另一种覆晶晶片的剖面示意图。 |
