| 主权项 |
1.一种侧面扩散金属氧化半导体电晶体之结构,包 括有: 一半导体矽基底,其表面区域具有一第一导电型; 一马蹄型之闸极层,系形成于该半导体矽基底之表 面上,该马蹄型之闸极层系由一第一直向延伸区域 、一第二直向延伸区域以及一横向延伸区域所连 接构成,其中该第一直向延伸区域连接于该横向延 伸区域之左侧,且该第二直向延伸区域连接于该横 向延伸区域之右侧; 一具有该第一导电型之第一源极区域,系形成于该 半导体矽基底之表面区域内,且位于该闸极层之第 一直向延伸区域的左侧壁周围; 一具有该第一导电型之第二源极区域,系形成于该 半导体矽基底之表面区域内,且位于该闸极层之第 二直向延伸区域的右侧壁周围; 一具有该第一导电型之汲极区域,系形成于该半导 体矽基底之表面区域内,且位于该闸极层之第一直 向延伸区域以及第二直向延伸区域的间隙内; 一具有第二导电型之第一离子扩散区,系形成于该 半导体矽基底之表面区域内,且环绕该第一源极区 域之侧壁与底部;以及 一具有第二导电型之第二离子扩散区,系形成于该 半导体矽基底之表面区域内,且环绕该第二源极区 域之侧壁与底部; 其中,该闸极层之第一直向延伸区域以及该第一离 子扩散区域之周边形成一第一重叠区域,且该闸极 层之第二直向延伸区域以及该第二离子扩散区域 之周边形成一第二重叠区域。2.如申请专利范围 第1项所述之侧面扩散金属氧化半导体电晶体之结 构,其中该第一导电型为N型,则该第二导电型为P型 。3.如申请专利范围第1项所述之侧面扩散金属氧 化半导体电晶体之结构,其中该第一、第二离子扩 散区为P+型。4.如申请专利范围第1项所述之侧面 扩散金属氧化半导体电晶体之结构,更包括有: 一第一隔离区域,系形成于该半导体矽基底之表面 区域内,且位于该闸极层之第一直向延伸区域的右 侧壁周围;以及 一第二隔离区域,系形成于该半导体矽基底之表面 区域内,且位于该闸极层之第二直向延伸区域的左 侧壁周围; 其中,该汲极区域系位于该第一、第二隔离区域之 间隙内。5.如申请专利范围第1项所述之侧面扩散 金属氧化半导体电晶体之结构,其中该马蹄型之闸 极层系为一多晶矽层。6.如申请专利范围第1项所 述之侧面扩散金属氧化半导体电晶体之结构,其中 该半导体矽基底之表面区域系为一N型磊晶层。7. 如申请专利范围第1项所述之侧面扩散金属氧化半 导体电晶体之结构,其中更包括有一闸极绝缘层, 系形成于该闸极层与该半导体矽基底表面之间。8 .一种侧面扩散金属氧化半导体电晶体之制作方法 ,包括有下列步骤: 提供一半导体矽基底,其表面区域具有一第一导电 型; 形成一马蹄型之闸极层于该半导体矽基底之表面 上,该马蹄型之闸极层系由一第一直向延伸区域、 一第二直向延伸区域以及一横向延伸区域所连接 构成,其中该第一直向延伸区域连接于该横向延伸 区域之左侧,且该第二直向延伸区域连接于该横向 延伸区域之右侧; 形成一具有该第一导电型之第一源极区域于该半 导体矽基底之表面区域内,且位于该闸极层之第一 直向延伸区域的左侧壁周围; 形成一具有该第一导电型之第二源极区域于该半 导体矽基底之表面区域内,且位于该闸极层之第二 直向延伸区域的右侧壁周围; 形成一具有该第一导电型之汲极区域于该半导体 矽基底之表面区域内,且位于该闸极层之第一直向 延伸区域以及第二直向延伸区域的间隙内; 形成一具有第二导电型之第一离子扩散区于该半 导体矽基底之表面区域内,且环绕该第一源极区域 之侧壁与底部;以及 形成一具有第二导电型之第二离子扩散区于该半 导体矽基底之表面区域内,且环绕该第二源极区域 之侧壁与底部; 其中,该闸极层之第一直向延伸区域以及该第一离 子扩散区域之周边形成一第一重叠区域,且该闸极 层之第二直向延伸区域以及该第二离子扩散区域 之周边形成一第二重叠区域。9.如申请专利范围 第8项所述之侧面扩散金属氧化半导体电晶体之制 作方法,其中该第一导电型为N型,则该第二导电型 为P型。10.如申请专利范围第8项所述之侧面扩散 金属氧化半导体电晶体之制作方法,其中该第一、 第二离子扩散区为P+型。11.如申请专利范围第8项 所述之侧面扩散金属氧化半导体电晶体之制作方 法,更包括有下列步骤: 形成一第一隔离区域于该半导体矽基底之表面区 域内,且位于该闸极层之第一直向延伸区域的右侧 壁周围;以及 形成一第二隔离区域于该半导体矽基底之表面区 域内,且位于该闸极层之第二直向延伸区域的左侧 壁周围; 其中,该汲极区域系位于该第一、第二隔离区域之 间隙内。12.如申请专利范围第8项所述之侧面扩散 金属氧化半导体电晶体之制作方法,其中该马蹄型 之闸极层系为一多晶矽层。13.如申请专利范围第8 项所述之侧面扩散金属氧化半导体电晶体之制作 方法,其中该半导体矽基底之表面区域系为一N型 磊晶层。14.如申请专利范围第8项所述之侧面扩散 金属氧化半导体电晶体之制作方法,其中更包括有 一步骤: 形成一闸极绝缘层于该闸极层与该半导体矽基底 表面之间。图式简单说明: 第1图显示习知LDMOS电晶体之结构的剖面示意图。 第2图显示习知LDMOS电晶体之开极层与P型体的布局 上视图。 第3图显示本发明LDMOS电晶体之结构的剖面示意图 。 第4图显示本发明LDMOS电晶体之闸极层与P型体的布 局上视图。 |
