| 发明名称 | 使用铁电栅极场效应晶体管的非易失性存储器和制造方法 | ||
| 摘要 | 垂直铁电栅极场效应晶体管(FeGFET)器件包括衬底和在衬底的上表面上制成的第一漏极/源电极。在第一漏极/源电极的上表面上制成导电沟道区并与第一漏极/源电极通电。FeGFET器件进一步包括至少在沟道区的一个侧壁制成的铁电栅极区，至少一个栅电极与铁电栅极区通电，在沟道区的上表面制成的并与沟道区通电的第二漏极/源电极。铁电栅极区响应在栅电极和第一和第二漏极/源电极中的至少一个之间施加的电势有选择地可极化。可以制成包括许多FeGFET器件的非易失性存储器阵列。 | ||
| 申请公布号 | CN1490880A | 申请公布日期 | 2004.04.21 |
| 申请号 | CN03158199.4 | 申请日期 | 2003.09.17 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 詹姆斯·A·密斯维其;威廉·R.·里尔;阿里间德罗·G.·施罗特;王力冈 |
| 分类号 | H01L29/772;H01L27/105;H01L21/336;H01L21/8234;H01L21/8239;G11C11/22;G11C14/00 | 主分类号 | H01L29/772 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 付建军 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：在硅衬底上制成的场效应晶体管(FET)、包括漏极区和源极区的FET；以及用于存储半导体器件的逻辑状态的铁电栅极场效应晶体管(FeGFET)，该FeGFET包括：在衬底的上表面上制成的并与FET的漏极区和源极区中的某一个通电的栅电极；在栅电极的上表面上制成的铁电栅极介质层；在铁电栅极介质层的上表面制成的导电沟道层；以及第一和第二漏极/源电极，第一和第二漏极/源电极在沟道层上制成并与沟道层的横向相对的两端通电；其特征在于，铁电栅极介质层响应在栅电极和第一和第二漏极/源电极中的至少一个之间施加的电势有选择地可极化。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||