氮化物系半导体激光元件

摘要

本发明提供氮化物系半导体激光元件，能谋求激光的稳定化，同时抑制阈值电流和动作电流的增大。该氮化物系半导体激光元件包括由经掺杂的氮化物系半导体及硅化物系材料二者之一组成的基板，形成于基板上的n型包层，由形成于n型包层上的氮化物系半导体构成的活性层，形成于活性层上的p型包层，活性层，仅在n型包层及p型包层之间中的活性层与p型包层之间形成的光导层。

主权项

1.一种氮化物系半导体激光元件，其特征在于，包括由经掺杂的氮化物系半导体及硼化物系材料二者之一构成的基板，形成于所述基板上的n型包层，由形成于所述n型包层上的氮化物系半导体构成的活性层，形成于所述活性层上的p型包层，以及在所述活性层、所述n型包型及所述p型包型之间中，仅形成于所述活性层与所述p型包层之间的光导层。