| 主权项 |
1.一种结合表面声波元件和积体电路为单一晶片 的方法,该方法包含: 一内含指叉状电极之表面声波元件,形成铝金属层 于该元件之底层背面之四周边缘; 形成铜金属层于该铝金属层之上; 形成锡铅接点于该铜金属层之上;及 一以互补式金氧半导体标准制程完成之积体电路 晶片,形成锡铅接点于该积体电路晶片背面之四周 边缘; 接合表面声波元件与积体电路之锡铅接点,完成表 面声波元件与积体电路整合之单一晶圆。2.如申 请专利范围第1项之一种结合表面声波元件和积体 电路为单一晶片的方法,其中于一内含指叉状电极 之表面声波元件之底层背面四周边缘上,以热蒸镀 方式形成该铝金属层。3.如申请专利范围第1项之 一种结合表面声波元件和积体电路为单一晶片的 方法,其中以热蒸镀方式形成该铜金属层。4.如申 请专利范围第1项之一种结合表面声波元件和积体 电路为单一晶片的方法,其中以电镀方式形成该锡 铅接点。5.如申请专利范围第1项之一种结合表面 声波元件和积体电路为单一晶片的方法,其中以热 压方式焊接该锡铅接点,接合表面声波元件与积体 电路晶片。6.一种结合表面声波元件和积体电路 为单一晶片的方法,该方法包含: 一以互补式金氧半导体标准制程制作之积体电路 晶片,形成指叉状电极图案于积体电路上方第一层 金属层之上; 形成指叉状电极图案于积体电路上方第一层金属; 形成压电薄膜于该指叉电极上方。7.如申请专利 范围第6项之一种结合表面声波元件和积体电路为 单一晶片的方法,其中以曝光显影方式形成该指叉 电极之图案。8.如申请专利范围第6项之一种结合 表面声波元件和积体电路为单一晶片的方法,其中 以蚀刻方式形成该指叉状电极。9.如申请专利范 围第6项之一种结合表面声波元件和积体电路为单 一晶片的方法,其中以溅镀方式形成该压电薄膜。 10.一种结合表面声波元件和积体电路为单一晶片 的方法,该方法包含: 一以互补式金氧半导体标准制程制作之积体电路 晶片,形成指叉状电极图案于积体电路上方第一层 金属层之上; 形成指叉状电极图案于积体电路上方第一层金属; 形成压电薄膜于该指叉电极上方; 移除指叉状电极与压电薄膜四周边缘之积体电路 晶片上方之第一层金属层及该金属层下方之氧化 层,使积体电路晶片上方之第二层金属层裸露; 形成铁弗龙薄膜于积体电路及压电薄膜上方; 形成蚀刻孔之图案于铁弗龙薄膜上方; 形成蚀刻孔于铁弗龙薄膜; 掏空积体电路上方第二层金属层,使指叉电极与压 电薄膜结构悬浮; 去除铁弗龙薄膜。11.如申请专利范围第10项之一 种结合表面声波元件和积体电路为单一晶片的方 法,其中以曝光显影方式形成该指叉状电极之图案 。12.如申请专利范围第10项之一种结合表面声波 元件和积体电路为单一晶片的方法,其中以蚀刻方 式形成该指叉状电极。13.如申请专利范围第10项 之一种结合表面声波元件和积体电路为单一晶片 的方法,其中以溅镀方式形成该压电薄膜。14.如申 请专利范围第10项之一种结合表面声波元件和积 体电路为单一晶片的方法,其中以蚀刻方式移除该 指叉状电极与压电薄膜四周边缘之积体电路晶片 上方之第一层金属层及该金属层下方之氧化层。 15.如申请专利范围第10项之一种结合表面声波元 件和积体电路为单一晶片的方法,其中以旋转涂布 方式镀上该铁弗龙薄膜。16.如申请专利范围第10 项之一种结合表面声波元件和积体电路为单一晶 片的方法,其中以曝光显影方式形成该蚀刻孔之图 案。17.如申请专利范围第10项之一种结合表面声 波元件和积体电路为单一晶片的方法,其中以蚀刻 方式形成该蚀刻孔。18.如申请专利范围第10项之 一种结合表面声波元件和积体电路为单一晶片的 方法,其中以蚀刻方式掏空该积体电路上方第二层 金属层,使指叉电极与压电薄膜结构悬浮。19.如申 请专利范围第10项之一种结合表面声波元件和积 体电路为单一晶片的方法,其中以蚀刻方式去除铁 弗龙薄膜。图式简单说明: 第一图 为一表面声波元件与积体电路利用热压方 式焊接而成的单一晶片。 第二图 欲与积体电路结合成第一图之单一晶片的 表面声波元件,其背面镀上锡铅合金接点,用于与 积体电路的铬铜层接点焊接。 第三图 欲与表面声波元件结合成第一图之单一晶 片的积体电路,其背面镀上铬铜接点,用于与表面 声波元件的锡铅接点焊接。 第四图 为一直接将表面声波元件制作于积体电路 上的单一晶片。 第五图 为一直接将表面声波元件制作于积体电路 上的单一晶片。 |
