| 主权项 |
1.一种触媒组合物,其包括: (a)一芳环烯金属(metallocene)触媒; (b)一中孔洞分子筛,以及 (c)一含铝原子之助触媒, 其中该助触媒的用量为使得在助触媒中之铝含量 和在芳环烯金属中之金属含量的莫耳比率在0至200 之间。2.如申请专利范围第1项所述之触媒组合物, 其中该助触媒的用量为使得在助触媒中之铝含量 和在芳环烯金属中之金属含量的莫耳比率在0至50 之间。3.如申请专利范围第1项所述之触媒组合物, 其中该中孔洞分子筛为具酸性之结晶性材料。4. 如申请专利范围第3项所述之触媒组合物,其中该 中孔洞分子筛之孔洞为2.0至50.0nm,表面积大于100m2/ g。5.如申请专利范围第4项所述之触媒组合物,其 中该中孔洞分子筛为一维之材料。6.如申请专利 范围第5项所述之触媒组合物,其中该中孔洞分子 筛为MCM-50。7.如申请专利范围第4项所述之触媒组 合物,其中该中孔洞分子筛为二维之材料。8.如申 请专利范围第7项所述之触媒组合物,其中该中孔 洞分子筛为MCM-41。9.如申请专利范围第8项所述之 触媒组合物,其中该中孔洞分子筛为六角形排列之 MCM-41。10.如申请专利范围第8项所述之触媒组合物 ,其中该中孔洞分子筛为具有管中管形态之MCM-41, 其中该管中管形态MCM-41中孔洞分子筛具有下列成 份: Mn/q(AlaSibOc) 其中 M为择自由氢、铵(ammonium)、硷金属、和硷土金属 所组成之一种或多种离子; n为该组成中去除M以氧化物形态存在时的电价; q为M的重量加权莫耳平均电价(weighed molar average valence); a和b分别为Al和Si的莫耳分率,且a+b=1,b>0;以及 c为1至2.5; 此分子筛具有由微粒子所构成之微细构造,且该等 微粒子具有直径介于1.3-100nm、呈六角形堆积的均 一孔洞,此等六角形堆积孔洞显现出一六角形电子 绕射谱(hexagonal electron diffraction pattern),此六角形 电子绕射谱具有大于1.8nm的d100値,其特征在于,该 等微粒子的30-100%为微米尺度的中空管子,该等中 空管子具有0.1-20m的直径,且其管壁具有沿轴向 做同向排列的上述呈六角形堆积的均一孔洞。11. 如申请专利范围第10项所述之触媒组合物,其中该 管中管形态MCM-41中有70%到100%之微粒子呈一微米尺 度的中空管子。12.如申请专利范围第10项所述之 触媒组合物,其中M为硷金属离子。13.如申请专利 范围第12项所述之触媒组合物,其中M为钠离子。14. 如申请专利范围第10项所述之触媒组合物,其中该 管中管形态MCM-41中SiO2:Al2O3之莫耳比在1:0至1:0.2之 间。15.如申请专利范围第7项所述之触媒组合物, 其中该中孔洞分子筛为SBA-15。16.如申请专利范围 第4项所述之触媒组合物,其中该中孔洞分子筛为 三维之材料。17.如申请专利范围第16项所述之触 媒组合物,其中该中孔洞分子筛为MCM-48。18.如申请 专利范围第1项所述之触媒组合物,其中该芳环烯 金属触媒为择自由双(未取代或有取代之环戊二烯 基)金属化合物和单(未取代或有取代之环戊二烯 基)金属化合物所组成之族群中。19.如申请专利范 围第18项所述之触媒组合物,其中该芳环烯金属触 媒为双(未取代或有取代之环戊二烯基)金属化合 物,且为择自由化学式R(Z)(Z)MeQk所表示之架桥型( bridged)芳环烯金属以及由化学式(Z)(Z)MeQk所表示之 未架桥型(unbridged)芳环烯金属所组成之族群中, 其中每个Z与Me连接,为相同或不同,且为一配位子( ligand),择自由有取代或未取代之环戊二烯基、有 取代或未取代之基(indenyl)、有取代或未取代之 四氢基(tetrahydroindenyl)、有取代或未取代之八氢 茀基(octahydrofluorenyl)、有取代或未取代之苯并茀 基(benzofluorenyl)、有取代或未取代之茀基(fluorenyl) 、和烷基取代之环戊二烯基衍生物所组成之族群 中;R为一连接Z的结构性架桥;Me为择自由周期表第 IVB,VB,和VIB族金属所组成之族群中之金属;每个Q是 相同或不同,且为择自由氢、卤素、和有机基团所 组成之族群中;k为足够填满Me之剩余价数的数字。 20.如申请专利范围第19项所述之触媒组合物,其中 该芳环烯金属触媒为由化学式R(Z)(Z)MeQk所表示之 架桥型芳环烯金属,且为择自由亚乙基-1,2-双(5- 基)二氯化钛[ethylene-1,2-bis(5-1-indenyl)titanium dichloridel]、亚乙基-1,2-双(5-基)二甲基钛、亚 乙基-1,2-双(5-基)二氯化铪、亚乙基-1,2-双(5 -基)二甲基铪、亚异丙基(5-9-茀基)(5-1-环戊 二烯基)二氯化锆[isopropylidene(5-9-fluorenyl)(5-1- cyclopentadienyl)zirconium dichloride]、亚异丙基(5-9-茀 基)(5-1-环戊二烯基)二甲基锆、二甲基矽基(5- 9-茀基)(5-1-环戊二烯基)二氯化锆、二甲基矽基( 5-9-茀基)(5-1-环戊二烯基)二甲基锆、亚丙基 矽基双(5-环戊二烯基)二氯化锆[propylenesilyl-bis( 5-cyclopentadienyl)zirconium dichloride]、和亚丙基矽基 双(5-环戊二烯基)双(二甲基胺基)锆[propylenesilyl- bis(5-cyclopentadienyl)bis(dimet hylamino)zirconium]所组成 之族群中。21.如申请专利范围第19项所述之触媒 组合物,其中该芳环烯金属触媒为由化学式(Z)(Z) MeQk所表示之未架桥型芳环烯金属,且为择自由双( 5-环戊二烯基)二氯化锆、双(5-环戊二烯)二甲 基锆、双(5-环戊二烯基)二氯化钛、双(5-环戊 二烯基)二甲基钛、双(5-环戊二烯基)二氯化铪 、双(5-环戊二烯基)二甲基铪、双(五甲基-5- 环戊二烯基)二氯化锆、双(五甲基-5-环戊二烯 基)二甲基锆、双(五甲基-5-环戊二烯基)二氯化 钛、双(五甲基-5-环戊二烯基)二甲基钛、双(五 甲基-5-环戊二烯基)二氯化铪、双(五甲基-5- 环戊二烯基)二甲基铪、双(5-1-基)二氯化锆、 以及双(5-1-基)二甲基锆所组成之族群中。22. 如申请专利范围第18项所述之触媒组合物,其中该 芳环烯金属触媒为单(未取代或有取代之环戊二烯 基)金属化合物,且为择自由5-环戊二烯基三氯化 钛、5-环戊二烯基三甲基钛、(三级丁基醯胺基) 二甲基(四甲基-5-环戊二烯基)矽烷二氯化钛、( 三级丁基醯胺基)二甲基(四甲基-5-环戊二烯基) 矽烷二甲基钛、(三级丁基醯胺基)二甲基(四甲基- 5-环戊二烯基)矽烷二氯化锆、以及(三级丁基醯 胺基)二甲基(四甲基-5-环戊二烯基)矽烷二甲基 锆所组成之族群中。23.一种制备一烯烃聚合物之 方法,包括以下步骤: 在催化有效量之如申请专利范围第1项所述之触媒 组合物之存在下,聚合条件下, (1)聚合一烯烃,或 (2)共聚合一烯烃以及至少一和该烯烃不同之单体 。24.如申请专利范围第23项所述之方法,其中该方 法包括聚合一烯烃,且此烯烃为乙烯。25.如申请专 利范围第24项所述之方法,其中该所得之烯烃聚合 物为一聚乙烯,有高于138℃的结晶熔点。26.如申请 专利范围第24项所述之方法,其中该所得之烯烃聚 合物为一聚乙烯,其在重量平均分子量小于1,000,000 的范围下有高于138℃的结晶熔点。27.如申请专利 范围第23项所述之方法,其中该方法包括聚合一烯 烃,其中该烯烃为丙烯,且所得之烯烃聚合物为高 度等规(high isotactic)聚丙烯。28.如申请专利范围第 23项所述之方法,其中该方法包括聚合一烯烃,其中 该烯烃为丁二烯(butadiene),且所得之烯烃聚合物为 高度顺式聚丁二烯。29.如申请专利范围第23项所 述之方法,其中该方法包括聚合一烯烃,其中该烯 烃为异戊二烯(isoprene),且所得之烯烃聚合物为高 度顺式聚异戊二烯。 |
