发明名称 全彩偏极化电激发光元件制作方法
摘要 一种全彩偏极化电激发光元件制作方法,其主要步骤包括基板洗净并图案化,设置一透明导电层于上述基板,在特定基板温度下蒸镀一定向小分子配向层,再蒸镀一小分子发光层,设置一电子传输层,最后设置一阴极层与封装;藉上述该具有方向性之小分子配向层,利用其表面具有之特定晶格方向,因此小分子发光层设置于其表面时,会依该晶格方向形成特定方向之排列,即可得到特定方向之偏极光,所以再利用偏光板时,可增加发光元件的光源能量之使用率。五、(一)、本案代表图为:第_1_图(二)、本案代表图之元件代表符号简单说明:基板洗净...............a设置一透明导电层...........b蒸镀一小分子配向层..........c蒸镀一小分子发光层..........d设置一电子传输层...........e设置一阴极层.............f封装.................g
申请公布号 TW583894 申请公布日期 2004.04.11
申请号 TW092107334 申请日期 2003.04.01
申请人 胜园科技股份有限公司 发明人 张书文;林国森;林桂雪;陈奇民;张俊钦
分类号 H05B33/10;H05B33/12 主分类号 H05B33/10
代理机构 代理人 黄志扬 台北市中山区长安东路一段二十三号十楼之一
主权项 1.一种全彩偏极化电激发光元件,包括有: 一透明基板(10); 一位于上述基板上之透明导电层(20); 一位于上述透明导电层(20)之小分子配向层(30); 一位于上述小分子配向层(30)上之小分子发光层(40 ); 一位于上述小分子发光层(40)上之电子传输层(50); 一位于上述电子传输层(50)上之阴极层(60)。2.如申 请专利范围第1项所述之全彩偏极化电激发光元件 ,其中,该透明导电层(20)之表面系具有铟锡-氧-矽- 有机官能基之键结者。3.如申请专利范围第1项所 述之全彩偏极化电激发光元件,其中,该小分子配 向层(30)材料系为一聚吩衍生物之共轭寡聚物(a- sexithiophene)。4.如申请专利范围第1项所述之全彩 偏极化电激发光元件,其中,该小分子配向层(30)材 料系为一斜向蒸镀之二氧化矽。5.如申请专利范 围第1项所述之全彩偏极化电激发光元件,其中,该 小分子配向层(30)材料系为一斜向蒸镀之氯化钾结 晶层。6.如申请专利范围第1项所述之全彩偏极化 电激发光元件,其中,该小分子配向层(30)材料系为 一斜向蒸镀之对苯二甲酸盐(potassium acid phthalate; KAP)。7.如申请专利范围第1项所述之全彩偏极化电 激发光元件,其中,该小分子发光层(40)系包含红色( R)、绿色(G)、蓝色(B)三色之小分子发光材料。8.如 申请专利范围第1项所述之全彩偏极化电激发光元 件,其中,该小分子发光层(40)中发红光之小分子材 料系可为 (DCM-2)。9.如申请专利范围第1项所述之全彩偏极化 电激发光元件,其中,该小分子发光层(40)中发红光 之小分子材料系可为 (DCJTB)。10.如申请专利范围第1项所述之全彩偏极 化电激发光元件,其中,该小分子发光层(40)中发绿 光之小分子材料系为 (Coumarin6)。11.如申请专利范围第1项所述之全彩偏 极化电激发光元件,其中,该小分子发光层(40)中发 蓝光之小分子材料系可为 (DPVBi)。12.如申请专利范围第1项所述之全彩偏极 化电激发光元件,其中,该小分子发光层(40)中发蓝 光之小分子材料系可为 (-NPD)。13.一种全彩偏极化电激发光元件制作方 法,其主要步骤包括: a)透明基板(10)清洗; b)于上述透明基板(10)上蒸镀设置一透明导电层(20) ; c)在特定基板温度下定向蒸镀一小分子配向层(30) 于上述之透明导电层(20); d)分别蒸镀各发光色之小分子发光层(40)于上述小 分子配向层(30); e)设置一电子传输层(50)于上述之小分子发光层(40) ; f)于上述电子传输层(50)上设置一阴极层(60); g)封装制程; 其中,藉上述该具有方向性之小分子配向层(30),因 为其表面具有特定晶格方向,因此小分子发光层(40 )设置于其表面时,会依该方向排列,形成特定方向 。图式简单说明: 第1图,系本发明之程序流程图 第2图,系本发明之构造示意图
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