| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft einen Fotoresist für die Ionenprojektions-Lithographie sowie ein Verfahren zur Strukturierung von Substraten, wobei der erfindungsgemässe Fotoresist verwendet wird. Der Fotoresist enthält ein Triphenylsulfonium-perfluoralkansulfonat als Fotosäure und Triphenylsulfoniumacetat als Fotobase. Der Fotoresist zeigt eine sehr hohe Belichtungsempfindlichkeit und eignet sich daher hervorragend für die für die Ionenprojektions-Lithographie. Es kann eine Auflösung von weniger als 90 nm erreicht werden, bei einer Empfindlichkeit von < 4 µC/CM<2>.</p> |
