| 摘要 |
一种半导体雷射装置，其系一种AlGaInAs半导体雷射装置，并具有包含一n-GaAs基材之多层结构，在该n-GaAs基材上形成有：一n-Al0.3Ga0.7As缓冲层、一n-Al0.47Ga0.53As包覆层、主动层部分、p-Al0.47Ga0.53As包覆层及p-GaAs顶层。该主动层部分构造为一多层结构，该多层结构包括：(Al0.37Ga0.63)0.97In0.03As光导层、Al0.1Ga0.9As主动层及(Al0.37Ga0.63)0.97In0.03As光导层。因采用加入In之AlGaInAs层作为光导层，主动层受到压缩应变。因此，雷射发射边缘处主动层之晶格常数因一来自毗邻光导层之力而变小。主动层之带隙能量在靠近雷射发射边缘处变得大于雷射装置内侧之带隙能量，由此形成视窗结构。 |
