| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种半导体器件，其具有：衬底；衬底上的半导体区；形成在半导体区整个表面上的，由Co-Si合金层组成的硅化物层；形成在衬底上的层间介质膜，层间介质膜具有露出部分硅化物层的接触孔；形成在接触孔内部，并且直接与硅化物层接触的阻挡层，阻挡层包括Ti；其中在从接触孔中露出的硅化物层的所说部分上，选择性地形成由Co-Si-Ti合金层组成的富硅硅化物层。还公开了一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在衬底上选择地形成给定导电类型的半导体区；在半导体区的整个表面上形成Co-Si合金层；在Co-Si合金层的整个表面或部分中掺入Si；在部分Co-Si合金层中形成含Ti层；及对衬底进行热处理，形成含有使接触电阻极大减小的硅量的富硅硅化物层。 | ||
| 申请公布号 | CN1144273C | 申请公布日期 | 2004.03.31 |
| 申请号 | CN99100526.0 | 申请日期 | 1999.02.04 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 小田典明 |
| 分类号 | H01L21/3205;H01L21/265;H01L21/28 | 主分类号 | H01L21/3205 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏;余朦 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：衬底；形成于所说衬底上的半导体区；形成在所说半导体区整个表面上的，由Co-Si合金层组成的硅化物层；形成在所说衬底上的层间介质膜，所述层间介质膜具有露出部分所说硅化物层的接触孔；形成在所说接触孔内部，并且直接与所说硅化物层接触的阻挡层，所说阻挡层包括Ti；其中在从所说接触孔中露出的所说硅化物层的所说部分上，选择性地形成由Co-Si-Ti合金层组成的富硅硅化物层。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||