发明名称 |
Semiconductor devices and methods of fabricating them |
摘要 |
An alloy of indium with 0.6% by weight of zinc is used in making transistors (see Division H1). |
申请公布号 |
GB977131(A) |
申请公布日期 |
1964.12.02 |
申请号 |
GB19610024170 |
申请日期 |
1961.07.04 |
申请人 |
RADIO CORPORATION OF AMERICA |
发明人 |
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分类号 |
H01L21/00;H01L23/488;H01L29/00 |
主分类号 |
H01L21/00 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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