| 主权项 |
1.一种控制奈米碳管长度之方法,主要包括以下步 骤: 提供一基板,该基板表面上形成有至少一奈米碳管 及至少一参考面,其中该奈米碳管之顶端至该参考 面之最短垂直距离为H; 提供至少一可承载及移动该基板之定位平台; 将该基板置于该定位平台上; 提供一放电电极与一压电致动器,并以该压电致动 器定位该放电电极之位置; 提供一距离感测器,以侦知该放电电极与该参考面 之高度,并以该距离感测器侦知之高度调整该基板 或该放电电极之高度,使该放电电极至该参考面之 垂直距离皆为I;以及 以该定位平台移动该基板,同时施加一电压脉冲至 该放电电极,以裁切该奈米碳管; 其中H大于或等于I。2.如申请专利范围第1项所述 之方法,其中该定位平台为XY定位平台。3.如申请 专利范围第1项所述之方法,其更包含一Z定位平台, 用以调整该放电电极之位置。4.如申请专利范围 第1项所述之方法,其中该基板为矽晶圆基板或玻 璃基板。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中 该放电电极为线状或平面状电极。6.如申请专利 范围第1项所述之方法,其中该放电电极与该基板 表面之夹角介于0至15度之间。7.如申请专利范围 第1项所述之方法,其中形成该奈米碳管之方法为 化学气相沉积(CVD)、电浆强化化学气相沉积(PECVD) 、或电场强化化学气相沉积(FECVD)。8.如申请专利 范围第1项所述之方法,其中该距离感测器为干涉 仪、电容感测器、或探针式感测器。9.如申请专 利范围第1项所述之方法,其中该电压脉冲之电压 为3.6至20伏,周期为30至100微秒。10.一种控制奈米 碳管长度之装置,系配合一表面形成有至少一奈米 碳管及至少一参考面之基板,主要包括: 至少一定位平台,用以放置并调整该基板之位置, 或调整该放电电极之位置; 一放电电极,位于该定位平台之一侧,用以裁切该 奈米碳管; 一压电致动器,用以定位或调整该放电电极之位置 或与该参考面之相对高度; 一距离感测器,用以感知该基板之高度;以及 一电压脉冲供应器,用以施加一电压脉冲至该放电 电极,以裁切该奈米碳管。11.如申请专利范围第10 项所述之装置,其中该定位平台为XY定位平台与Z定 位平台。12.如申请专利范围第10项所述之装置,其 中该基板为矽晶圆基板或玻璃基板。13.如申请专 利范围第10项所述之装置,其中该放电电极为线状 或平面状电极。14.如申请专利范围第10项所述之 装置,其中该放电电极与该基板表面之夹角介于0 至15度之间。15.如申请专利范围第10项所述之装置 ,其中该奈米碳管形成于该基板之方法为化学气相 沉积(CVD)、电浆强化化学气相沉积(PECVD)、或电场 强化化学气相沉积(FECVD)。16.如申请专利范围第10 项所述之装置,其中该距离感测器为干涉仪、电容 感测器、或探针式感测器。17.如申请专利范围第 10项所述之装置,其中该电压脉冲之电压为3.6至20 伏,周期为30至100微秒。18.如申请专利范围第10项 所述之装置,其中该放电电极至该参考面之垂直距 离小于或等于该奈米碳管之顶端至该参考面之最 短垂直距离。图式简单说明: 图1系本发明较佳实施例之基板立体图。 图2(a)与2(b)系本发明较佳实施例之基板剖视图。 图3系本发明较佳实施例之控制奈米碳管长度之装 置立体图。 图4系本发明较佳实施例中矽晶圆基板、距离感测 器与放电电极之结构放大图。 图5系本发明较佳实施例中使用光纤干涉仪进行控 制之距离感测器示意图。 |
