形成用于高温氧化物处理之一保护性缓冲层的方法

摘要

形成一薄SiON缓冲层在浮置闸之上表面，以便保护多晶矽表面免于受到氯原子的破坏，该氯原子是在高温氧化形成ONO叠层时所产生的。该缓冲层亦可能在后续制程中遭受不利情况的其他介电层表面上形成，例如在该ONO介电叠层中之氮化物层。