| 发明名称 | 臭氧处理方法及臭氧处理装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种向半导体基板或液晶基板等的基板表面吹送臭氧气体而形成氧化膜或改善形成于该基板表面的氧化膜或者去除形成于该基板表面的保护层的臭氧处理方法及臭氧处理装置，该臭氧处理装置(1)，具有用于载置基板K的载置台(20)；用于加热载置台(20)上的基板K的加热机构；与基板K相对而置，从形成于基板K的相对面上的排出孔(44)排出臭氧气体的对向板(40)；向排出孔(44)供给臭氧气体的气体供给机构(43)；升降载置台(20)的升降机构(30)及控制升降机构(30)的动作的控制机构(35)。控制机构(35)在臭氧气体排出过程中驱动升降机构(30)而使载置台(20)上的基板K和对向板(40)之间的间距g发生变化。 | ||
| 申请公布号 | CN1481581A | 申请公布日期 | 2004.03.10 |
| 申请号 | CN02800549.X | 申请日期 | 2002.03.18 |
| 申请人 | 住友精密工业株式会社 | 发明人 | 菊池辰男;山中健夫;山口征隆;金山登纪子 |
| 分类号 | H01L21/306 | 主分类号 | H01L21/306 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1、一种臭氧处理方法，是通过加热机构加热载置于载置台上的基板，同时从相对上述基板而置的对向板的排出孔，向上述基板排出含有臭氧的处理气体而处理上述基板表面的方法，其特征在于，在排出上述处理气体时，上述载置台上的基板和对向板之间的间距产生变化。 | ||
| 地址 | 日本兵库县 | ||