Maskenlose Mittellinien-Belag-Aufbringung

摘要

Ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterstruktur, wobei die Halbleiterstruktur eine Kernregion und eine Peripherieregion umfaßt. Die Kernregion umfaßt eine Mehrzahl von Transistoren und die Peripherieregion umfaßt eine Mehrzahl von Transistoren. Das Verfahren umfaßt ein Aufbringen eines Mittellinien-Belags unter Verwendung einer plasmagestützten chemischen Aufdampfung, der über der Halbleiterstruktur liegt. Durch ein Verwenden der plasmagestützten chemischen Aufdampfung kann die Menge des MOL-Belags, die in der Kernregion und der Peripherieregion aufgebracht wird, abhängig von den Entfernungen zwischen Transistoren in der Kernregion und der Peripherieregion gesteuert werden.