发明名称 具有板导线段的集成存储器
摘要 集成存储器具有驱动单元DRVi,通过它列选择导线CSLi与板导线段PLi相连接,及它根据所属列选择导线CSLi的电位及字地址WADR在与它连接的板导线段PLi上产生一个电位,该电位对于存储器的每个工作状态具有确定地址。
申请公布号 CN1138278C 申请公布日期 2004.02.11
申请号 CN01116290.2 申请日期 2001.02.23
申请人 因芬尼昂技术股份公司 发明人 G·布劳恩;H·赫尼格施米德
分类号 G11C11/22;H01L27/105 主分类号 G11C11/22
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 张志醒
主权项 1.一种集成存储器,-具有存储单元(MC),该存储单元被设置在字导线(WLi)、位导线(BLi)及板导线段(PLi)的交叉点上,及各存储单元设有至少一个存储电容器(C)及一个选择晶体管(T),-所述存储电容器(C)各具有一个第一电极,该电极与一个板导线段(PLi)相连接;及具有一个第二电极,该电极通过所属的选择晶体管(T)与一个位导线(BLi)相连接,-所述选择晶体管(T)各具有一个控制端子,该控制端子与一个字导线(WLi)相接,-所述位导线(BLi)组合成列(BL0..3,BL4..7),所述列通过列选择导线(CSLi)选择,-具有一个列解码器(CDEC),用于根据列地址(CADR)控制列选择导线(CSLi),-具有一个行解码器(RDEC),用于根据行地址(RADR)控制字导线(WLi),其特征在于:设有驱动单元(DRVi),通过该驱动单元列选择导线(CSLi)与板导线段(PLi)相连接,并且该驱动单元根据所属列选择导线(CSLi)的电位及行地址(RADR)在与所连接的板导线段(PLi)上产生一个电位,该电位对于存储器的每个工作状态具有确定值。
地址 联邦德国慕尼黑