| 主权项 |
1.一种抛光用于制造半导体装置中使用的衬底或其前体的方法，包括：在衬底和薄垫之间放一液体，其中的薄垫含有一抛光层，该抛光层进一步包括一抛光面；在液体或辅助液体存在于两表面之间的前提下，将抛光面和衬底表面彼此相对运动并相互加有偏压，该液体保证平均至少50％的表面不接触在一起；施加小于25psi的均力将两表面偏压在一起，压缩抛光面5微米以下，由此使抛光面具有一平行于大部分基体表面的平面构型，所述抛光面包括大量纳米级粗糙；所述抛光层的厚度小于或等于1毫米，抛光层粘结在载体膜上，该载体膜的厚度小于或等于1毫米，抛光垫的平均总厚度小于或等于3毫米，所述抛光层具有基本上由下述特征的抛光材料构成的抛光面：i密度大于0.5g/cm3；ii临界表面张力大于或等于34mN/m；iii拉伸模量为0.02-5GPa；iv30℃的拉伸模量与60℃的拉伸模量之比为1.0-2.5；v肖氏硬度为15-80Dvi屈服应力为300-6000psi；vii拉伸强度为1000-15,000psi；viii断裂伸长小于或等于500％，所述抛光材料至少包括一部分选自下面的物质：1聚氨酯；2碳酸酯；3酰胺；4酯；5醚；6丙烯酸酯；7甲基丙烯酸酯；8丙烯酸；9甲基丙烯酸；10砜；11丙烯酰胺；12卤；13酰亚胺；14羧基；15羰基；16氨基；17醛基；和18羟基。 |
