剥离方法

摘要

提供了一种不损伤待要剥离的层的剥离方法，且此方法不仅能够剥离面积小的待要剥离的层，而且能够以高的成品率剥离面积大的整个待要剥离的层。而且，提供了一种通过将待要剥离的层粘合到各种基底材料而降低了重量的半导体器件及其制造方法。确切地说，提供了一种通过将典型为TFT的各种元件粘合到柔性膜而降低了重量的半导体器件及其制造方法。金属层或氮化物层被提供在衬底上；氧化物层被提供成与金属层或氮化物层相接触；然后形成基底绝缘膜和含有氢的待要剥离的层；并在410℃或更高的温度下执行热处理，以便扩散氢。结果，能够用物理方法在氧化物层中或在其界面处获得完全的剥离。

主权项

1.一种剥离方法，它包含：在衬底上形成金属层；形成与金属层接触的氧化物层；形成与氧化物层接触的绝缘膜；在绝缘膜上形成具有非晶结构并含有氢的半导体；执行热处理以便扩散氢；将支持部件粘合到包括氧化物层、绝缘膜以及半导体膜的待要剥离的层；以及用物理方法，从形成在衬底上的金属层剥离粘合到支持部件的待要剥离的层。